(设备管理)2020年特种设备超声检测通用工艺卡编制及答案.docxVIP

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  • 2020-12-27 发布于天津
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(设备管理)2020年特种设备超声检测通用工艺卡编制及答案.docx

PAGE PAGE # 特种设备超声检测 通用工艺卡 钢焊缝超声波探伤工艺卡编制 钢焊缝超声波探伤操作程序 1、仪器调整 聚焦清晰、增益适当、抑制置 关。 有标准要求的灵敏度余量。 JB/4730.3-2005 第 67 页 3.2.2.3.1 款规定在达到工件的最大检测声程 时,其灵敏度余量不小于 10dB。 深度范围选择适当。 2、 入射点至前沿距离I o的测定: 在CSK-I A试块上测试; 要求误差=± 1mm 3、 K值的测定要求: 要求误差=± 0.1mm 可在CSK-m A试块上进行, 计算式: K=(a2-a1)/(h2-h1) 。 (3)可以在CSK-I A试块上测定, K=(l o +x-35)/30。 4、扫描线的调节 要求误差w 2% 可以在CSK-3ID试块上进行。也 可以在CSK-I A试块上测定。 小于 20 毫米厚的钢板焊缝要求 使用水平定位。 大于 20 毫米的钢板可 焊缝以使用水平定位,也可以使用深 度定位法,但要求荧光屏的利用不低 于满刻度的 50%。 5、表面耦合补偿 根据实际试板情况, 推荐上表面的 声能损失一般按 3-4dB 补偿;下表面 的声能损失按 4dB 补偿。一次性规定 有要求的。按照一次性规定。 6、距离—— dB 曲线的绘制 可以绘制距离—— dB 曲线,也 绘制距离——波幅曲线。 三条线在图上的位置及灵敏度 关系要符合标准要求。 在距离一一dB (或波幅)曲线 图上需注明参考波幅的高度、是否已 计入表面补偿,使用的定位方式及调 节比例 7、探伤灵敏度的选择及调整。 探伤灵敏度是指在确定的声程 范围内发现规定大小缺陷的能力。一 般根据产品技术要求或有关标准确 定。可通过调节仪器上的 [ 增益 ] 、[ 衰 减器 ] 、[ 发射强度 ] 等灵敏度旋钮来实 现。 调节探伤灵敏度的目的在于发现 工件中规定大小的缺陷,并对缺陷定 量。探伤灵敏度太高太低都对探伤不 利。灵敏度太高、示波屏上杂波太多、 判伤困难。灵敏度太低,容易引起漏 检。 实际探伤中,在粗探时为了提高 扫查速度而又不引起漏检,常常将探 伤灵敏度提高,这种在探伤灵敏度基 础上适当提高后的灵敏叫做搜索灵敏 度或搜查灵敏度。 要求按距离一一dB (或波幅) 曲线确定探伤灵敏度,采用分段探伤 时,应分段设定探伤灵敏度。 要求仪器至少要保留 10 dB 的 灵敏度余量。(为保证仪器有一定的灵 敏度余量,绘制距离—— dB 曲线时, 应从最远声程处测起) 。 探伤灵敏度下的灵敏度余量要 求记入探伤记录中。 例如:探伤灵敏度巾1X 6-9dB, 采用分段探伤只要求记录最大声程时 探伤灵敏度余量。 8、探伤面的选择; 要求所选探头 K 值能满足全焊 缝扫查: K>( a+b+l o) /T(薄板使用一次反 射波探伤); 式中a—上焊缝宽度的一半; b —下焊缝宽度的一半; I °—探头的前沿距离; T —工件厚度; K —探头的K值. 要求探伤面的准备,满足扫查 范围的要求。 P=2TK=2Ttanp a.使用一次反射波探伤时,探 伤面修磨的宽度: P1 1.25P(JB4730.3-2005)。 b.使用直射波探伤时,探伤面修 磨的宽度: P20.75Pmm(JB4730.3-2005)。 探伤面要求清洁。 9、探头扫查的要求 ①探头扫查的要求符合 8.( 2)要 求。 ②探头移动速度 150 毫米/ 秒。 探头的前进距离 dD(晶片尺 寸)。 探头前进过程中要求有左、右 约 15 度的摆动,即锯齿形扫查。 10、 横向裂纹的扫查 ①斜平行扫查: 10°--45 °。 ②适当提高探伤灵敏度。 11、 距离 dB (波幅)曲线判伤 ①要求在缺陷反射波幅度栏中记 入缺陷反射波幅度的当量值高出定量 线多少dB。如:SL+12dB ②要求在备注栏中记入缺陷在荧 光屏上的刻度位置和波幅与基准波高 相等时仪器的衰减器读数。 12、结果: 1.平面工件的缺陷定位 横波探伤平板时缺陷定位。 (1)、按声程调节扫描速度时P198 仪器按声程1:调节横波扫描速度, 缺陷波水平刻度为T f。 ①、 一次波发现缺陷时,缺陷至 入射点的声程Xf = nT f,忽略 横孔直径,则缺缺在工件中的 水平距离Xf和深度df为 I f = XfSin 3 = n t fSim 3 d f = Xcol 3= n t fcos 3 一般n= 1,贝U _ I _ I f =t fSin 3 S f =t fcos 3 I ②、二次波探伤时,缺陷至入射点的声程, 深度df为: 图7 X=n t f,则缺陷在工件中的水平距离 I f和 { I f=XfS in 3 =n t fSi n 3 df=2T—Xf cos 3 =2T— nT fcos 3 式中:

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