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电性能参数及影响因素介绍 摘要: 　　一、 电参数介绍 　　 1、各个参数之间的关系　　A.在所 有参数中，只有电压和 电流 测量值，其他参数均 计算值。　　 B.Pmpp 为在 I-V 曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该 点对应的电压就是最大功 ... 　　一、 电参数介绍 　　 1、各个参数之间的关系 　　A.在所有参数中，只有 电压和 电流 测量值，其他参数均 计算值。 　　B.Pmpp 为在 I-V 曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大， 该点对应的电压就是最大功率点 电压Umpp ，该点对应得 电流就是最 大功率点电流 Impp 　　C.Rs 为在光强为 1000W/M2 和 500W/M2 下所得最大功率点的电压 差与电流差的比值，只是一个计算值，所以有时候会出现负值的情况 　　D.Rsh 为暗电流曲线下接近电流为 0 时曲线的斜率 　　E.Irev1 为电压为-10V 时的反向电流 　　F.Irev2 为电压为-12V 时的反向电流 　　G.Rs 和 Rsh 决定 FF 　　H.Rsh 和 Irev1、Irev2 有对应的关系 　　I.计算公式： 　　J.Ncell= Pmpp/S （硅片面积） 　　K.Pmpp= Umpp*Impp= Uoc*Isc*FF 　　L.FF= （Umpp*Impp）/ （Uoc*Isc） 二、转换效率的影响因素 三、测试外部参数影响 　　正常测试温度为 25±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低， 短路电流略微增大，整体转换效率降低 　　正常光强为 1000±50W/M2，随着光强的降低，开路电压略微降低， 短路电流急剧下降，整体转换效率降低 　　四、串阻 Rs 组成 　　测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成： 　　 1.材料体 电阻（可以认为电阻率为 ρ 的均匀掺杂半导体） 　　2.正面电极金属栅线体 电阻 　　3.正面扩散层电阻 　　4.背面电极金属层电阻 　　5.正背面金属半导体接触 电阻 　　6.外部因素影响，如探针和片子的接触等 　　烧结的关键就是欧姆接触 电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触 处的电阻。 　　可以这样考虑，上述 1.2.3.4 项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻； 　　5 则 变量电阻烧结效果的好坏直接影响 Rs 的最终值； 　　6 属于外部测试因素，也会导致 Rs 变化 　　五、Rs 影响因素 　 六、并阻 Rsh 组成 　　A.测试中并联电阻 Rsh 主要主要是由暗电流曲线推算出，主要由边 缘漏 电和体内漏 电决定 　　B.边缘漏 电主要由以下几个方面决定： 　　C.①边缘刻蚀不彻底 　　D.②硅片边缘污染 　　E.③边缘过刻 　　F. 　　G.体内漏 电主要几个方面决定 　　H.①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿 　　I.② 由于铝粉的沾污导致的烧穿 　　J.③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电 　　K.④工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污 染、DI 水质不合格等 　　七、Rsh 影响因素 　 　 　八、Uoc 影响因素 　　 九、Isc 影响因素 　　十、网印区工艺过程常见问题处理 　　A.一、翘曲： 　　B.1.硅片太薄--控制原始硅片厚度 　　C.2.印刷铝浆太厚--控制铝浆重量 　　D.3.烧结温度过高--调整烧结炉 4、5、6、7 区温度 　　E.4.烧结炉冷却区冷却效果不好--查看风扇状况、进出水温度压力 等 　　F.二、铝包： 　　G.1.烧结温度太高--调整烧结炉 4、5、6、7 区温度 　　H.2. 印刷铝浆太薄--印刷铝浆重量加重 　　I.3.使用前浆料搅拌不充分--搅拌时间必须达到规定时间 　　J.4.铝浆印刷后烘干时间不够--增加烘干时间或提高烘干温度 　　K.5.烧结排风太小--增大烧结炉排风 　　L.6.烧结炉冷却区冷却效果不好--查看风扇状况、进出水温度压力 等 　　M.三、虚印： 　　N.1. 印刷压力太小--增大印刷压力 　　O.2.印刷板间距太大--减小板间距 　　P.3. 印刷刮刀条不平--更换刮刀条 　　Q.4.工作台板不平，磨损严重--更换工作台板 　　R.5.网印机导轨不平--重新调整导轨 　　A. 四、粗线：