霍尔效应实验原始数据记录.docx

用霍尔效应测量磁场 实验目的 1、 霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用 2、 学习利用霍尔效应测量磁感应强度3及磁场分布。 3、 学习用“对称交换测量法消除负效应产生的系统误差。 实验仪器 DH4501B型亥姆霍兹线圈磁场实验仪 实验原理 1、霍尔效应 图（1）霍尔效应从本质上讲， 是运动的带电粒子在磁场 中受洛仑兹力的作用而引 起的偏转。当带电粒子（电 子或空穴）被约束在固体 材料中，这种偏转就导致 在垂直电流和磁场的方向 上产生正负电荷在不同侧 的聚积，从而形成附加的 横向电场。如右图（1）所 示，磁场B位于Z的正向, 与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流厶（称为工作电流），假设载流子为电子（N型 半导体材料），它沿着与电流厶相反的X 图（1） 由于洛仑兹力/厶作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于丫轴负方向偏转，并形成电 子枳累，而相对的Y轴正方向形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种枳累 的异种电荷形成的反向电场力化的作用。随着电荷积累的增加，化增大，当两力大小相等 （方向相反）时，则电子积累便达到动态平衡。这时在丫方向两端面之间建立 的电场称为霍尔电场相应的电势差称为霍尔电势。 设电子按均一速度5,向图示的X负方向运动，在磁场3作用下，所受洛仑兹力为： TOC \o 1-5 \h \z fL = -euB （1） 式中e为电子电量，J为电子漂移平均速度