{生产工艺技术}主要薄膜光伏电池非微晶硅技术及制备工艺介绍.docxVIP

{生产工艺技术}主要薄膜光伏电池非微晶硅技术及制备工艺介绍  主要薄膜光伏电池（非/微晶硅、CIGS） 技术及制备工艺介绍 薄膜光伏电池技术及发展概况简述 全球主要薄膜光伏电池技术简介 非晶硅 CIGS CdTe 主要材料 硅 铜、铟、镓、硒化合物 碲、镉化合物 光吸收层厚度 0.2-0.5μm 1μm 1μm 光吸收能力 非直接能隙材料，可吸收的光谱有限2、吸收光子能量范围1.1-1.7ev 直接能隙材料，吸收范围广2、吸收光子能量范围1.02-1.68ev 直接能隙材料，吸收范围广2、吸收光子能量范围1.45ev 发电稳定性 1、稳定性较差有光致衰减效应2、非/微叠层电池可改善光致衰减效应 稳定性高，无光致衰减效应 稳定性高，无光致衰减效应 产业化转化效率 非/微叠层8.5-9.5% 10-12% 8.5-10.5% 材料特性 硅烷为主要原材料，因用量少而供应充足 硒/铟为稀有金属，难以应付全面性大量的市场需求2、缓冲层硫化镉具有潜在毒性 碲为稀有金属，难以应付全面性大量的市场需求2、碲、镉为有毒元素，受限环保法规及消费心理障碍 材料控制性 产业界用硅技术成熟 四元素难以精准控制 二元素较CIGS易控制 材料成本 高品质TCO玻璃价格高 靶材成本会比基板高 材料成本约占5成 常见的成膜技术 1、化学气相沉积法(CVD)2溅射法(sputter) 溅射法（sputte