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1.7. 有一内外半径分别为 r1 和 r2 的空心介质球,介质的电容率为ε,使介质内均匀带静止由电荷求
1 空间各点的电场;
2 极化体电荷和极化面电荷分布。
解(1) , (r2r r1)
即:
∴, (r2r r1)
由, (r r2)
∴, (r r2)
r r1时,
(2)
∴ (r2r r1)
考虑外球壳时, r= r2 ,n 从介质 1 指向介质 2 (介质指向真空),P2n =0
考虑内球壳时, r= r1
1.11. 平行板电容器内有两层介质,它们的厚度分别为 l1 和l2,电容率为ε1和ε,今在两板接上电动势为 Ε 的电池,求
(1) 电容器两板上的自由电荷密度ωf
(2) 介质分界面上的自由电荷密度ωf
若介质是漏电的,电导率分别为 σ 1 和σ 2 当电流达到恒定时,上述两问题的结果如何?
解:在相同介质中电场是均匀的,并且都有相同指向
则
故:,
又根据, (n从介质1指向介质2)
在上极板的交面上,
是金属板,故=0
即:
而
,(是下极板金属,故=0)
∴
若是漏电,并有稳定电流时,由可得
,
又
得: ,即
1.14、内外半径分别a和b的无限长圆柱形电容器,单位长度电荷为,板间填充电导率为的非磁性物质。
(1)证明在介质中任何一点传导电流与位移电流严格抵消,因此内部无磁场。
(2)求随时间的衰减规律。
(3)求与轴相距为r的地方的能量功耗功率密度。
(4)求长度为l的一段介质总的能量耗散功率,并证明它等于这段的能减少率。
(1)证明:由电流连续性方程:
根据高斯定理
, 即:
, ,即传导电流与位移电流严格抵消。
(2)解:由高斯定理得:
又,,
(3)解:
能量耗散功率密度=
(5)解:单位体积
静电能W=
减少率
例1.一个内径和外径分别为R2和R3的导体球壳,带电荷Q,同心地包围着一个半径为R1的导体球(R1 R2).使这个导体球接地,求空间各点的的电势和这个导体球的感应电荷。
解 这个问题有球对称性,电势不依懒于角度和,因此可以只取中n=0项。设导体壳外和壳内的电势为
(1) (2)
边界条件为:
(1)因内导体球接地,故有
(3)
(2)因整个导体球壳为等势体,故有
(4)
(3)球壳带总电荷Q,因而
(5)
把(1)、(2)代入这些边界条件中,得
由此解出
(6)
,
其中
把这些值代入(1)、(2)中,得出电势的解
导体球上的感应电荷为
例4 导体尖劈带电势V,分析它的尖角附近的电场。
解 用柱坐标系。取z 轴沿尖边。设尖劈以外的空间,即电场存在的空间为。因不依懒于z,柱坐标下的拉氏方程为
(1)
用分离变量法解次方程。设的特解为则上式分解为两个方程
其中为某些正实数或0.把的特解叠加得得通解
各待定常量和的可能值都由边界条件确定.
在尖劈面上,=V,与r无关,由此
因有限,得
在尖劈面上,有与r无关,必须
因此得可能值为
考虑这些条件,可以重写为
为了确定待定常量,还必须用某一大曲面包围着电场存在的区域,并给定这曲面上的边界条件。因此,本题所给的条件是不完全的,还不足以确定全空间的电场。但是,我们可以对尖角附近的电场作出一定的分析。
在尖角附近,,上式的求和的主要贡献来自r最低幂次项,即n=1项。因此,
电场为
尖劈两面上的电荷密度为
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