测试技术-75光电二极管和光电三极管.pptVIP

7.5 光电二极管和光电三极管 7.5 光电二极管和光电三极管 7.5.1 结构原理 1 ．光电二极管结构原理 光电二极管也叫光敏二极管，其结构与普通二极管相似，但其 PN 结位 于管子顶部，可以直接受到光照射。使用时光电二极管一般处于反向工作 状态，如图所示， 在没有光照射时，光电二极管的反向电阻很大 ，反向电 流即暗电流很小。 当光线照射 PN 结时，在 PN 结附近激发出光生电子 - 空穴对， 它们在外加反向偏压和内电场的作用下作定向运动，形成光电流 。光的照 度越大，光电流越大 。 7.5 光电二极管和光电三极管 光电二极管有三种类型，即 普通 PN 结型光电二极管（ PD ）、 PIN 结型光 电二极管（ PIN ）和雪崩型光电二极管（ APD ）。 相比之下， PIN 二极管具有 很高的频率响应速度和灵敏度，而 APD 二极管除了响应时间短、灵敏度高外， 还具有电流增益作用。 7.5 光电二极管和光电三极管 2 ．光电三极管结构原理 光电三极管的工作原理与反向偏置的光电二极管类似，不过它有两个 PN 结，象普通三极管一样能得到电流增益，其结构与普通三极管相似，只 是它的 基区做得很大，以扩大光的照射面积。基极一般不接引线 ，但也可 以同时加上电信号和光信号进行双重控制。光电三极管有 NPN 和 PNP 两种类 型 。 7.5 光电二极管和光电三极管 当集电极加上相对于发射极为正的电压而基极开路时，集电结处于反 向偏置状态。当光线照射到集电结的基区，会产生光生电子 - 空穴对，光生 电子被拉到集电极，基区留下了带正电的空穴，使基极与发射极间的电压 升高，这样，发射极（ N 型材料）便有大量电子经基极流向集电极，形成光 电三极管的输出电流，从而使 光电三极管具有电流增益作用 。 7.5 光电二极管和光电三极管 7.5.2 基本特性 1 ．光照特性 外加偏置电压一定时，光电流 I 与光照度 E V 的关系称为 光照特性 ，如图 7-21 所示。由图可见，相比之下光电二极管光照特性的线性度要好，但光 电流由于没有增益而比光电三极管小很多，且当 光照足够大时均会出现饱 和，饱和值的大小和材料、掺杂浓度及外加偏压有关。 7.5 光电二极管和光电三极管 2 ．光谱特性 在光照度一定时，光电流与入射光频率之间的关系称为光谱特性。光电二 极管和光电三极管的入射光的频率（波长）决定光生载流子的产生与否及其能 量大小，如图 7-22 所示为光电晶体管的光谱特性，锗管的响应频段在 500 ～ 1700nm 波长范围内，最灵敏峰在 1400nm 附近，硅管的响应频段在 400 ～ 1000nm 波长范围内，最灵敏峰在 800nm 附近。所以 在探测红外光时，采用锗管；探测 可见光和炽热状态物体时，都采用硅管。 7.5 光电二极管和光电三极管 3 ．伏安特性 光电二极管和光电三极管的光电流与外加偏压的关系称为其伏安特性，如 图 7-23 所示。可见其特性与普通二极管和三极管的特性相似。 光电二极管的光 电流与所加偏压几乎无关，在入射光照度一定时，它相当于一个恒流源。 对光 电三极管来说，偏压对光电流有明显的影响， 当光照度保持一定，偏压较小时， 曲线陡峭，光电流随着偏压的增大而增大，偏压增大到一定程度时，光电流处 于近似饱和状态 。 7.5 光电二极管和光电三极管 4 ．频率特性 频率特性是指光电流与光照调制频率的关系，如图 7-24 所示为其特性曲线。 一般来说， 光电三极管的频响比光电二极管小很多。 而在光电三极管中，锗管 的频率响应要比硅管小一个数量级，实际使用时应根据具体情况进行选择。另 外，通过减小负载电阻值可提高频响，但同时也减小了输出光电信号。