第19章俄歇电子能谱分析..docVIP

第 19 章 俄歇电子能谱分析 19.1 引言 俄歇电子的发现可以追溯到 1925 年，1953 年开始研究俄歇电子能谱， 直到 1967 采用了微分方式，才开始出现了商业化的俄歇电子能谱仪，并发展成为一 种研究固体表面成分的分析技术。 由俄歇电子的信号非常弱， 二次电子的背景又很高，再加上积分谱的俄歇峰又比较宽，其信号基本被二次电子的背底所掩盖。 因此，刚开始商业化的俄歇电子能谱仪均采用锁相放大器， 记录微分信号。 该技术可以大大提高俄歇电子能谱的信背比。 随着电子技术和计算机技术的发展， 现在的俄歇电子能谱已不再采用锁相模拟微分技术，直接采用计算机采集积分谱， 然后再通过扣背底或数字微分的方法提高俄歇电子能谱的信背比。 扫描俄歇电子微探针谱仪也发展到可以进行样品表面扫描分析，大大增加了微区分析能力。 与 X 射线光电子能谱（ XPS）一样，俄歇电子能谱（ AES）也可以分析除氢氦以外的所有元素。 现已发展成为表面元素定性、 半定量分析、 元素深度分布分析和微区分析的重要手段。 三十多年的来， 俄歇电子能谱无论在理论上和实验技术上都已获得了长足的发展。 俄歇电子能谱的应用领域已不再局限于传统的金属和合金，而扩展到现代迅猛发展的纳米薄膜技术和微电子技术， 并大力推动了这些新兴学科的发展。目前 AES分析技术已发展成为一种最主要的表面分析工具。在俄歇电子能谱仪的技术方面也取得了巨大的进展。 在真空系统方面已淘汰了会 产生油污染的油扩散泵系统，而采用基本无有机物污染的分子泵和离子泵系统， 分析室的极限真空也从 10-8 Pa 提高到 10-9 Pa 量级。在电子束激发源方面， 已完全淘汰了钨灯丝， 发展到使用六硼化铼灯丝和肖特基场发射电子源， 使得电子束的亮度，能量分辨率和空间分辨率都有了大幅度的提高。 现在电子束的最小束斑直径可以达到 20nm，使得 AES的微区分析能力和图象分辨率都得到了很大的提高。 AES具有很高的表面灵敏度， 其检测极限约为 10-3 原子单层， 其采样深度为1～2nm，比 XPS还要浅。更适合于表面元素定性和定量分析， 同样也可以应用于表面元素化学价态的研究。配合离子束剥离技术， AES还具有很强的深度分析和界面分析能力。 其深度分析的速度比 XPS的要快得多，深度分析的深度分辨率也比 XPS的深度分析高得多。常用来进行薄膜材料的深度剖析和界面分析。 此外，AES还可以用来进行微区分析，且由于电子束束斑非常小，具有很高的空间分别 率。可以进行扫描和微区上进行元素的选点分析， 线扫描分析和面分布分析。 因此， AES方法在材料，机械，微电子等领域具有广泛的应用，尤其是纳米薄膜材 料领域。 19.2 方法原理 俄歇电子能谱的原理比较复杂， 涉及到原子轨道上三个电子的跃迁过程。 当 Page 1 射线或电子束激发出原子内层电子后，在原子的内层轨道上产生一个空穴，形成了激发态正离子。 在这激发态离子的退激发过程中， 外层轨道的电子可以向该空穴跃迁并释放出能量， 而这种释放出的能量又激发了同一轨道层或更外层轨道的电子被电离， 并逃离样品表面， 这种出射电子就是俄歇电子。 其俄歇跃迁过程可图解为图 19.1 。 俄歇电子 出射电子 从 K 到 K L 填充 L 轰击电子 M aaa 图 19.1 俄歇电子的跃迁过程 俄歇过程产生的俄歇电子峰可以用它激发过程中涉及的三个电子轨道符号 来标记，如图 19.1 俄歇过程激发的俄歇峰可被标记为 KLL 跃迁。从俄歇电子能 谱的理论可知，俄歇电子的动能只与元素激发过程中涉及的原子轨道的能量及谱 仪的功函有关，而与激发源的种类和能量无关。 KLL 俄歇过程所产生的俄歇电子 能量可以用下面的方程表示： EKLL (Z)= E K(Z) - E L1(Z) - E L2(Z+ ) - s （ 19.1 ） 式中 EKLL(Z) -- 原子序数为 Z 的原子的 KLL跃迁过程的俄歇电子的动能 , eV ； EK(Z) -- 内层 K 轨道能级的电离能 , eV ； EL1(Z) -- 外层 L1 轨道能级的电离能 ,eV ； EL2(Z+ ) -- 双重电离态的 L2 轨道能级的电离能 ,eV ； s -- 谱仪的功函 , eV 。 在俄歇激发过程中， 一般采用较高能量的电子束作为激发源。 在常规分析时， 为 了减少电子束对样品的损伤，电子束的加速电压一般采用 3KV或 5KV，在进行高空间分辨率微区分析时，也常用 10KV以上的加速电压。原则上，电子束的加速电压越低，俄歇电子能谱的能量分辨率越好。反之，电子束的加速电压越高，俄歇电子能谱的空间分辨率越好。 由于一次电子束的能量远高于原子内层轨道的能量，一束电子束可以激发出原子芯能级上的多个内层轨道电子， 再加上退激发过