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M N空位对Fe掺杂GaN的磁性影响：第一性原理计算 王玉峰，杨冲，郭婷婷，陈强 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院，100191，北京 Email： wyfbbs@126.com qchen@ 稀磁半导体（DMSs）由于同时具有载流子和自旋两种自由度，而被广泛应用在基于自旋极化输运或自旋注入半导体的新型自旋电子器件，相关研究与应用引起了人们广泛的关注。本文采用基于密度泛函理论的第一原理广义梯度近似方法，计算了3种可能的双Fe掺杂GaN和1种可能的N空位-双Fe掺杂GaN的结构模型。计算结果显示，三种双Fe掺杂中，系统呈现反铁磁性（AFM）的能量要低于呈现铁磁性（FM）的能量，这说明纯净的GaN掺铁将会是反铁磁性基态，这验证了文献[12]的结论。另外，当系统呈现AFM时，Fe-Fe距离较近时系统具有较低的能量（掺杂位3时的系统能量与掺杂位1时的系统能量相同是因为经过周期性平移，1与3等价），表明在实际情况下，Fe原子倾向于聚集。加入N空位后， 我们发现了一种亚铁磁（FIM）基态，并且FIM和FM的能量差变小，由于N空位释放出3个电子，说明引入电子能使得系统具有FIM基态。这丰富了文献[12]关于铁掺杂GaN磁性机理研究的结论。 关键词：稀磁半导体，Fe掺杂GaN，N空位，反铁磁性 图 SEQ 图 \* ARABIC 1. 体系结构（0、1、2、3代表Fe占据的Ga位，V代表N空位） 表格 SEQ 表格 \* ARABIC 1. 体系经过结构优化后的到的AFM、FIM和FM态的能量 几何结构 Fe原子间距 ? 能量（AFM/FIM） eV 能量（FM） eV 能量差（AFM/FIM-FM） eV 加入空位前 0-1 3.202 -105.072 -104.292 -0.780 0-2 4.528 -104.433 -104.409 -0.024 0-3 5.546 -105.072 -104.292 -0.780 加入空位后 0-3+空位1 5.546 -94.070（FIM） -93.757 -0.313 参考文献 [1 ]H. Ohno, Science. 281(1998)951 [2 ]S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, and H. Hori. J. Cryst. Growth. 237-239,1358(2002) [3 ]T. Sasaki, S. Sonoda, Y, Yamamoto, K. I. Suga, S. Shimizu, K. Kindo, and H. Hori, J. Appl. Phys. 91, 7911(2002) [4 ]E. Sarigiannidou, E. Wilhelm, E. Monroy, R. M. Galera, E. Bellet-Amalric, A. Rogalev, et al. Phys. Rev. B. 74,041306(2006) [5 ]N. Theodoroupoulou, A. F. Hebard, S. N. G. Chu, M. E. Overberg, C. R. Abernaty, et al. J. Appl. Phys. 91,7499(2002) [6 ]Y. Shon, Y. H. Kown, Y. S. Park, Sh. U. Yuldashev, S. J. Lee, et al. J. Appl. Phys. 95, 761(2004) [7 ]Y. Shon, S. Lee, H. C. Jeon, Y. S. Park, D. Y. Kim, T. W. Kang, J. S. Kim, et al. Appl. Phys. Lett. 89,082505(2006) [8 ]Seung-Cheol Lee, Kwang-Ryeol Lee, Kyu-Hwan Lee. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 310(2007)e732-e734 [9 ]E. Malguth, A. Hoffmann, W. Gehlhoff, O. Gelhausen, M. R. Phillips, and X. Xu. Phys. Rev. B. 74,165202(2006) [10]M. G. Ganchenkova, R. M. Nieminen. Phys. Rev. Lett. 96(2006)196402 [11]G. Talut, H. Reuther, Shengqiang Zhou, K. Potzger, and F. Eichhorn. J. Appl. Phy