镀膜实验的数据处理.docVIP

五、数据处理 薄膜制备条件 样品标号 沉积时间（min） 5 氩气流量（Sccm） 45 本底真空（Pa） 3.6*10^-1 工作真空（Pa） 8.5*10^-3 溅射电流（A） 0.3 溅射电压（V） 360 薄膜厚度（nm） 50 溅射功率：108W 六、实验结果陈述与总结 在本实验中，我们通过操作仪器，电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜，完成了真空镀膜。特点是实验步骤比较多，抽真空的时间比较长，但按步骤一步一步来就能顺利完成。最终实验完成得比较顺利，薄膜表面平整度很好。 通过本实验，我们直接地接触薄膜材料，对薄膜材料有一个直观的感性认识，了解和学会直流磁控溅射制备金属薄膜的原理和方法，了解清洗基片的方法。 七、思考题 1．进行真空镀膜为什么要求有一定的真空度？如果达不到要求会怎样？ 由于真空分子碰撞少，污染少，可获得表面物理研究中所要求的纯净，结构致密的薄膜。如果达不到，就会有杂质掺入，镀的膜平整度也不好，结构不致密。 2．镀膜前为什么要对基片认真清洗？为了使镀膜比较牢固，可以怎样对基片进行处理？ 对基片进行严格清洗，是因为基片的清洁度直接影响播磨的牢固性和均匀性。如果表面有灰尘杂质等，会降低薄膜的附着力，而且，也会造成薄膜