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椭偏仪操作规程 一. 目的 使用椭偏仪测量经 PECVD镀膜后的 SiN 膜的厚度 (d) 和折射率 (n). . 适用范围 适用于 CENTECH公司的 SE 400advanced 型号的椭偏仪 . 设备主要性能及相关参数 设备型号： SE 400advanced 设备构成： A光学系统部分：由支架、定位显微镜、线偏振光发射器（包括激 光源）、椭圆偏振光接受和分析器组成。此部分完成整个光学部分的测试。 B PC 机部分。此部分完成数据的分析和输出。 . 运行前的检查 主要检查设备光学仪器部分是否损坏和电脑是否可正常使用。 五. 设备操作 启动软件 将椭偏仪控制器和 PC的电源打开，为了仪器快速可用和延长激光器寿命， 推荐将椭偏仪控制器连续运转。 SE 400advanced 程序通常被安装在文件夹： C:\program files\SE 400Adv\ApplicationFrame\. 使用资源管理器或者直接双击桌面的 SE 400advanced 图标，启动软件。 Fig. 错误 ! 文档中没有指定样式的文字。 -1: SE 400advanced 图标 软件打开时会自动进入上次退出时的登陆用户界面。 1 Fig. 错误 !文档中没有指定样式的文字。 -2: SE 400advanced 用户认证 通过菜单 Logon ，能够添加、更改或删除用户和用户权限。 用户主窗口 1 3 4 2 Fig. 错误 !文档中没有指定样式的文字。 -3: SE 400advanced 主窗口 最后一次使用的模式会被自动加载。通过菜单，工具栏或模式列表，能够 选择另外的模式。 在软件界面的右下角，一个图标（ 2）用来显示椭偏仪控制器的连接状态， 它通常显示为绿色。如果显示不为绿色，请检查椭偏仪和控制器之间的网络连 接是否正常，并检查屏幕右下角的任务栏的网络状态。 2 样品测试 1）在 recipe 下拉菜单中选择 08 Si3N4 on silicon 100 nm . 2）将样品平放于测试台，并定位 3）通过按 来开始测量，测量完成后，结果被显示在主结果 区（ 3）和 protocol 区（ 4）。 测量选项 在Measurement options 页面中，能够按照测量的数值计算方法、数值极 限和结果报告，对一些设定进行更改。此外，设定入射角度和对多角度测量所 使用角度的选择，也能够在这里进行。 Fig. 错误 ! 文档中没有指定样式的文字。 -4: 模式选项 ( 测量 ) 测量任务 Psi, Delta 椭偏角度的测量。 Substrate ns, 使用 free surface. 模型时，基底的复折射 ks 率。 使用单层透明膜模型，并指定指定膜层折 Thickness 射率和基底折射率时，膜层的厚度； 开始膜厚由用户给出或由 CER测量给出。 3 使用单层膜模型时，膜层的厚度和折射率。 Thickness + n ( 基底的复折射率作为固定值 ); 开始膜厚由用户给出或由 CER测量给出 Thickness + n 多角度测量情况下，膜层的厚度、折射率 + absorption 和吸收系数，使用“ Thickness + n ”模型，椭 偏仪需要用多角度测量。 Two layers 多角度测量情况下，双层膜的厚度。 4 模型选项 页面 Model 包含了所有对测量进行分析的参数。 软件所使用的默认模型为在吸收基底上的三层吸收膜。 模型的参数能够被直接输入在相应的区域，另一种方法是使用 SENTECH材 料库，可通过膜层名字右边的按钮 使用材料库。 Fig. 错误 !文档中没有指定样式的文字。 -5: : 模式选项 ( 模型 ) 5 Fig. 错误 !文档中没有指定样式的文字。 -6: : SE 400advanced 材料库 模型参数的描述在下表给出： 基底折射率 s 基底吸收系数 s N 周围环境的折射率 ( 空气 : n=1) a K 周围环境的吸收系数 ( 空气 : k=0) a 入射角 ( 垂直时入射角 = 0 °) hi 激光波长 (nm) a 上层膜的折射率 6 u 上层膜的吸收系数 ( 通常为负 ) u 上层膜的厚度 u 中间层膜的折射率 m 中间层膜的吸收系数 m 中间层膜的厚度 m 底层膜的折射率 l 底层膜的吸收系数 l 底层膜的厚度 l Tab. 错误 !文档中没有指定样式的文字。 -1: 三层膜模型的参数总结 退出软件 点击右上角的按钮，关闭 SENTECH软件界面，就可以退出 SE 400advanced 程序。 六. 注意事项 被测片放于测试台，测试时注意片子不要移动，以使测试准确。 测试时若参数有较大偏差（ n 约为， d 约为 84-92nm），应先考虑 PECVD 工艺问