结型场效应管精选ppt演示文稿.pptVIP

N;P;N;NJFET工作原理;NJFET工作原理;vDS增大则被夹断区向下延伸。;iD/mA;VP=-2V;VP=5V;1、结构 2、工作原理 3、转移特性 4、输出特性; 一、偏置电路及静态分析;2、分压式自偏压电路;JFET放大电路分析（3）;场效应管电路符号;g;g;场效应管与三极管的比较;4、耗尽型IGFET的 vGS可正可负，有的场效应管 d 、s可以互换，所以FET的电路设计的灵活性更大。 5、FET的输入电压动态范围较大（可达几伏），三极管一般小于几百毫伏，但三极管的输出电压动态范围较大，因为它的饱和压降仅零点几伏，而FET上升区转入恒流区的转折点处的电压约有几伏的缘故。 6、MOSFET制造工艺简单，芯片面积很小，功耗很小，便于大规模集成。;场效应管的使用注意事项; IGFET 有很高的输入电阻，栅极处于绝缘状态，因此若人体或其它物体在栅极上感应生成的电荷很难被泄放掉，电荷在栅极的积累造成栅压的升高，由于一般的 FET的极间电容很小，因此数量不多的电荷就会引起较高的电压，如果感应电压过大，就会把二氧化硅绝缘层击穿，使管子在未经焊接和使用情况下就失效或损坏了。 为了避免上述事故，关键要减小外界感应的影响，避免栅极的悬空，在保存IGFET 时，可选用导线将三个电极绕在一起等到已经形成栅极直流通路后再解开缠绕的导线，还应使用外