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超高真空多功效磁控溅射设备使用 引言 薄膜制备方法有很多个，关键包含：物理气相沉积 (PVD)、化学气相沉积(CVD)和电化学沉积。物理气相沉积中只发生物理过程，化学气相沉积中包含了化学反应过程。常见物理气相沉积方法是真空蒸发，分子束外延(MBE）是一个超高真空中进行缓慢真空蒸发过程，它能够用来生长外延单晶薄膜。另一个常见物理气相沉积方法是溅射，溅射法制膜含有溅射速度快，在沉积多元合金薄膜时化学成份轻易控制，沉积层对衬底附着力很好，能够大面积成膜等。 近几十年来,磁控溅射技术已经成为最关键沉积镀膜方法之一。广泛应用于工业生产和科学研究领域。如在现代机械加工工业中,利用磁控溅射技术在工件表面镀制功效膜、超硬膜、自润滑薄膜。在光学领域,利用磁控溅射技术制备增透膜、低辐射膜和透明导膜,隔热膜等。在微电子领域和光、磁统计领域磁控溅射技术也发挥着关键作用。比如在微电子领域制备Cu互联薄膜等。 二、试验目标 1. 了解超高真空多功效磁控溅射系统。关键包含：直流和射频溅射、电源控制系统、进样室和生长室、抽气系统基础工作原理。 2. 掌握衬底清洗、装卸、样品在进样室和生长室间传输、靶安装关键点等。 三、试验原理 1 溅射 众所周知，溅射现象源于阴极表面气体辉光放电。在真空系统中，靶材是需要溅射材料，它作为阴极，相对于作为阳极衬底加有数千伏电压。在对系统预抽真空以后，通进少许惰性气体（如氩气），压力通常处于10-1~10Pa范围内。在正负电极高压作用下，极间气体原子将被大量电离。电离过程使Ar原子电离为Ar+离子和能够对立运动电子，其中电子飞向阳极，而带正电荷Ar+离子则在高压电场加速作用下飞向作为阴极靶材，并在和靶材撞击过程中释放出其能量。离子高速撞击结果就是大量靶材原子取得了相当高能量，使其能够脱离靶材束缚而飞向衬底，在衬底上成膜。当然，在上述这种溅射过程中，还可能伴随有其它粒子，如二次电子、离子、光子等从阴极发射。 溅射法受到大力发展和重视一个关键原因在于这种方法易于确保所制备薄膜化学成份和靶材基础一致，而这一点对于蒸发法极难做到。 溅射法使用靶材能够依据材质分为纯金属、合金及多种化合物。金属和合金靶材能够用冶炼或粉末冶金方法制备，其纯度及致密性很好；化合物靶材多采取粉末热压方法制备，其纯度及致密性往往要稍逊于前者。 关键溅射方法能够依据其特征分为以下四种: (1) 直流溅射；（2）射频溅射；（3）磁控溅射；（4）反应溅射。 2 直流溅射法 直流溅射又称阴极溅射或二极溅射。在直流溅射过程中，常见氩气Ar作为工作气压。工作气压是一个关键参数，它对溅射速率和薄膜质量全部含有很大影响。 当经过加速入射离子轰击靶材（阴极）表面时，会引发电子发射，在阴极表面产生这些电子，开始向阳极加速后进入负辉光区，并和中性Ar原子碰撞，产生自持辉光放电所需Ar+离子。在相对较低气压条件下，Ar原子电离过程多发生在距离靶材很远地方，所以Ar+离子运动至靶材处几率较小。同时，低气压下电子自由程较长，电子在阳极上消失几率较大，而Ar+离子在阳极上溅射同时发射出二次电子几率又因为气压较低而相对较小。所以，在低工作气压下Ar原子离化效率很低，溅射速率和效率很低。 伴随氩气工作气压增加，电子平均自由程减小，原子电离几率增加，溅射电流增加，溅射速率提升。但当气压过高时，溅射出来靶材原子在飞向衬底过程中将会受到过多散射，所以其沉积到衬底上几率反而下降。所以伴随气压改变，溅射沉积速率会出现一个极值。通常来讲，沉积速度和溅射功率成正比，和靶材和衬底之间间距成反比。 溅射气压较低时，入射到衬底表面靶材原子没有经过数次碰撞，能量较高，这有利于提升沉积时原子扩散能力，提升沉积组织致密程度。溅射气压提升使得入射原子能量降低，不利于薄膜组织致密化。 3 射频溅射法 采取直流溅射法需要在溅射靶上加一负电压，所以就只能溅射导体材料，而不能沉积绝缘材料，其原因在于轰击绝缘介质靶材时表面离子电荷无法中和，于是靶面电位升高，外加电压几乎全部加在靶上，两极间离子加速和电离机会就会变小，甚至不能发生电离，致使放电停止或不能连续，溅射停止。所以，对于导电性很差非金属材料或绝缘介质溅射，需要一个新溅射方法—射频溅射法(RF)法。 射频溅射装置相当于把直流溅射中直流电源部分由射频发生器，匹配网络和电源所替换。它是利用高频电磁辐射来维持低气压(约2.5?10-2 Pa)辉光放电。阴极安置在紧贴介质靶材后面，把高频电压加在靶上，这么，在一个周期内正离子和电子就能够交替地轰击靶，从而实现溅射介质靶材目标。当靶电极为高频电压负半周时，正离子对靶材进行轰击引发溅射，同时靶材表面会有正电荷积累；当靶材处于高频电压正半周时，因为电子对靶轰击中和了积累在介质靶表面上正电荷，这么就为下一周期溅射发明了条件。因为在一个周期内