电力电子技术II复习总结计划参考.docxVIP

08 级电力电子技术 II 复习参考 一.电力电子器件 图 1.N 沟道 MOSFET 输出特性 1.N 沟道 MOSFET 输出特性如图 1 所示。图中各区域的名称分别是 (填空 )： A. 区域 1 叫正向电阻区； B. 区域 2 叫反向电阻区； C.区域 3 叫截止区； D.区域 源区 )； E.区域 5 叫雪崩击穿区； F.区域 6 叫体二极管导通区。  4 叫饱和区  (有 2.MOSFET 特点 (判断 )： 电压控制，控制极（栅极）静态内阻高； B.驱动功率小，开关速度高； C.无二次击穿，安全工作区宽； D.为多数载流子器件，没有存储效应，开关时间短。 图 2.N 沟道 MOSFET 开关等效电路 N 沟道 MOSFET 开关等效电路如图所示 (填空 )。 功率 MOSFET 在结构上存在一个反向并联的二极管，因此不能阻挡反向电流的导通。功率 MOSFET 二次击穿的原因是结构上隐含了 NPN 晶体管， 一旦有雪崩击穿产生的少数载流子 进入源极端短路点，并进一步注入到 PN 时（需要电压在 0.5V 以上），引发二次击穿。不过 由于现代功率 MOSFET 的设计， 使二次击穿不易发生， 其 dv / dt 耐受力达到 109V / S 以上。 在电流耐量方面，由于功率 MOSFET 导通进是多数载流子导电，电阻呈正温度系数，具有 电流均匀分布的稳定机