CCD的基本结构和工作原理.pptx

CCD 的基本结构和工作原理 电荷耦合器件的突出特点是以电荷作为信号，而不同于其他大多数器件是以电流或电压 为信号。CCD 的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。因此，CCD 工作过程的主要问题是 信号电荷的产生、存储、传输和检测。 CCD 有两种基本类型：一是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输， 这类器件称为表面沟道 CCD（简称 SCCD）；二是电荷包存储在离半导体表面一定深度的体 内，并在半导体体内沿一定方向传输，这类器件称为体沟道或埋沟道器件（简称 BCCD）。 下面以SCCD 为主讨论 CCD 的基本工作原理。 1.CCD 的基本结构 构成 CCD 的基本单元是 MOS（金属—氧化物—半导体）结构。如图 2-7(a)所示，它是 在 p 型 Si 衬底表面上用氧化的办法生成 1 层厚度约为 1000?～1500? 的 SiO2，再在 SiO2 表 面蒸镀一金属层(多晶硅)，在衬底和金属电极间加上 1 个偏置电压，就构成 1 个 MOS 电容 器。当有 1 束光线投射到 MOS 电容器上时，光子穿过透明电极及氧化层，进入 p 型Si 衬底， 衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。光子进入衬底时产生的电子跃迁形成 电子－空穴对，电子－空穴对在外加电场的作用下，分别向电极的两端移动，这就是信号电 荷。这些信号电荷存储在由电极组成的“势阱”中。如图 1 所示。;曲线的直线性好，说明表面势ΦS 与反型层电荷浓度 QINV 有着良好的反比例线性关系。 这种线性关系很容易用半导体物理中的“势阱”概念描述。电子所以被加有栅极电压 UG 的 MOS 结构吸引到氧化层与半导体的交界面处，是因为那里的势能最低。在没有反型层电荷 时，势阱的“深度”与栅极电压UG 的关系恰如ΦS 与UG 的线性关系，如图 5(a)空势阱的情 况。图 5(b)为反型层电荷填充 1/3 势阱时，表面势收缩，表面势ΦS 与反型层电荷浓度 QINV 间的关系如图 2-10 所示。当反型层电荷足够多，使势阱被填满时，ΦS 降到 2ΦF。此时， 表面势不再束缚多余的电子，电子将产生“溢出”现象。这样，表面势可作为势阱深度的量 度，而表面势又与栅极电压 UG、氧化层的厚度 dOX 有关，即与 MOS 电容容量 COX 与 UG 的乘 积有关。势阱的横截面积取决于栅极电极的面积A。MOS 电容存储信号电荷的容量 Q ? COXUG ? A (1) ;;的内部结构决定了使其正常工作所需要的相数。图所示的结构需要三相时钟脉冲，其波形图 如图 6(f)所示，这样的 CCD 称为三相 CCD。三相 CCD 的电荷耦合（传输）方式必须在三 相交叠脉冲的作用下，才能以一定的方向逐单元地转移。 电极结构的一个关键问题是 CCD 电极间隙。如果电极间隙比较大，两相邻电极间的势 阱将被势垒隔开，不能合并，电荷也不能从一个电极向另一个电极完全转移，CCD 便不能 在外部脉冲作用下正常工作。能够产生完全耦合条件的最大间隙一般由具体电极结构、表面 态密度等因素决定。理论计算和实验证实，为了不使电极间隙下方界面处出现阻碍电荷转移 的势垒，间隙的长度应小于 3μｍ。这大致是同样条件下半导体表面深耗尽区宽度的尺寸。 如果氧化层厚度、表面态密度不同，结果也会不同。但对绝大多数 CCD，1μｍ的间隙长度是 足够小的。 电荷的注入和检测 电荷的注入 光注入 当硅照射到 CCD 硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子－空穴对，其多数载流 子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中 形成信号电荷。光注入方式又可分为正面照射式与 背面照射式。图 7 所示为背面照射式光注入的示意 图。CCD 摄像器件的光敏单元为光注入方式。光注 入电荷;;如图 9(a)所示，当信号电荷在转移脉冲的驱 动下向右转移到末极电极（图中Φ2 电极）下的 势阱中后，Φ2 电极上的电压由高变低时，由于 势阱提高，信号电荷将通过输出栅（加有恒定的 电压）下的势阱进入反向偏置的二极管（图中 n+区）。由 UD、电阻 R、衬底 p 和 n+区构成的反 向偏置二极管相当于无限深的势阱。进入到反向 偏置二极管中的电荷，将产生输出电流 ID，且 ID 的大小与注入到二极管中的信号电荷量成正 比，而与电阻 R 成反比。电阻 R 是制作在 CCD 内的电阻，阻值是常数。所以，输出电流 ID 与 注入到二极管中的电荷量成线性关系，且;以上两种输出机构均为破坏性的一次性输出。;理想情况下η应等于 1，但实际上电荷在转移中有损失，所以η总是小于 1 的（常为 0.9999 以上）。一个电荷为 Q(0)的电荷包，经过 n 次转移后，所剩下的电荷 Q(n) ? Q(0)? n (10) n 次转移前后电荷量之间的关