- 1、本文档共58页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第7章:图形刻蚀技术(Chapter 11);;问题:
常见的刻蚀对象:SiO2、Si3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、铝或铝合金、衬底材料等
即:金属刻蚀、介质刻蚀、硅(半导体)刻蚀
;;;Etch Bias、 Undercut 、 Slope and Overetch;;S = ;对刻蚀的基本要求:
图形的高保真:横向腐蚀和各向异性腐蚀
刻蚀剖面:
选择比:光刻胶和不同材料的腐蚀速度
关键尺寸(CD)控制
均匀性:小线条和大硅片
清洁:残渣沾污
损伤:;7.1.湿法腐蚀:即,化学腐蚀(S11.1)
8.1.1 腐蚀液:
SiO2: HF:NH4F:H2O=3毫升:6克:10毫升 (36°C)
Al: H2PO4、70~80 °C、乙醇稀释
Si3N4:H2PO4、 H2PO4:HNO3=3:1 ( SiO2膜) HF (Cr膜)
其它
定向腐蚀(P265~263)
;;;7.1.2 刻蚀中的质量问题:
图形畸变:曝光时间、显影时间、刻蚀速度
浮胶:粘附、前烘时间、曝光时间、 显影时间、刻蚀速度、腐蚀液
毛刺和钻蚀:清洁、显影时间、腐蚀液
针孔:膜厚不足、曝光不足、清洁、掩膜版
小岛:曝光、清洁、湿法显影、掩膜版
湿法腐蚀工艺的特点:速度快,成本底,精度不高。;7.2. 干法腐蚀:即,等离子刻蚀
Section 11.3 (重点阅读)
7.2.1. 原理和特点:
是一种物理-化学刻蚀;
是一种选择性很强的刻蚀
在低压中进行,污染小
与去胶工艺同时进行
表面损伤
置入等离子场中的分子因等离子能量的激励生成了性的
游离基分子、原子,以这些活性游离基分子、原子引起
的化学反应,形成挥发性产物,而使被蚀物剥离去掉。
活性游离基分子、原子不受电场影响,因而各向同性。;;RF;;;
F基刻蚀原理:(SiO2为例)
CF4 2F+CF2 (游离基)
SiO2+4F SiF4+2O
SiO2+2CF2 SiF4+2CO
Cl基…
;;;氧的作用:加快
氢的作用:减慢
高分子生成:刻蚀速度、选择性
反应气体:CF4、CHF3、CF6
;;InGaAs刻蚀仿真;刻蚀前结构;Rate.Etch Machine=PEMach \
Plasma \
Pressure = 3.75 Tgas = 300.0 Tion = 3000.0
Vpdc = 32.5 Vpac = 32.5 \
Lshdc = 0.005 Lshac = 0.0 \
Freq = 13.56 Nparticles = 4000 \
Mgas = 40.0 Mion = 40.0 \
Constant \
Energy.Div = 50 \
Qio = 1.7e-19 Qcht = 2.1e-19
# Define the plasma etch parameters for InGaAs
Rate.Etch Machine=PEMach \
Plasma \
Material=InGaAs \
k.i = 1.1 k.f= k.d=;[PRESSURE=n] #定义等离子体刻蚀机反应腔的压强
[TGAS=n] #定义等离子体刻蚀机反应腔中气体的温度
[TION=n] #定义等离子体刻蚀机反应腔中离子的温度
[VPDC=n] #等离子体外壳的DC偏压
[VPAC=n] #等离子外壳和电珠之间的AC电压
[LSHDC=n] #外壳的平均厚度
[LSHAC=n] #外壳厚度的AC组成
[FREQ=n] #AC电流的频率
[NPARTICLES=n] #用蒙托卡诺计算来自等离子体的离子流的颗粒数
[MGAS=n] #气体原子的原子质量
[MION=n] #等离子体离子的原子量
[(CHILD.LANGM|COLLISION|LINEAR|CONSTANT)]#计算等离子体外壳的电压降的模型,默认为CONSTANT;改变刻蚀腔压强;;;;;改变等离子体刻蚀速率的线性部分;改变刻蚀腔压强时的刻蚀剖面;改变刻蚀腔压强对离子的能量-角度分布的影响;各向异性刻蚀;Section 11.3 (重点阅读)
反应离子刻蚀(RIE)
Reactive Ion Etch与前面的等离子刻蚀相比,等离子体的激励增大,反应气体发生了电子从原子脱离
您可能关注的文档
- 第6章_期货交易流程 .pptx
- 第6章_构建和管理Email服务 .pptx
- 第6章—建设工程监理的进度控制(6) .pptx
- 第6章、公关与交际心理学 .pptx
- 第6章信用风险管理 .pptx
- 第6章医药商品包装 .pptx
- 第6章发动机有害排放物的控制 .pptx
- 第6章吸附法净化气态污染物 .pptx
- 第6章员工招聘(董克用版) .pptx
- 第6章商业银行 .pptx
- 2024年1月黑龙江佳木斯市事业单位招考聘用550人笔试历年高频考点难、易错点合集附带答案详解.docx
- 小学数学四年级上册垂线.pptx
- 2024年1月甘肃西北师范大学招考聘用急需紧缺专业硕士研究生17人笔试历年高频考点难、易错点合集附带答案详解.docx
- 小学数学必背知识点汇总.docx
- 2024年3月上半年四川雅安招考聘用医护类事业单位工作人员153人笔试历年高频考点难、易错点合集附带答案详解.docx
- 高中教学工作计划精选集锦10篇.pdf
- 2024年2月江苏无锡职业技术学院长期招考聘用41人笔试历年高频考点难、易错点合集附带答案详解.docx
- 2024年3月广东韶关市始兴县青年人才招考聘用30人笔试历年高频考点难、易错点合集附带答案详解.docx
- 嵌入式linux设备驱动开发详解光盘技术手册91c111.pdf
- 2024年2月长江文艺杂志社招考聘用笔试历年高频考点难、易错点合集附带答案详解.docx
文档评论(0)