WAT工艺参数测试.pptxVIP

毕业设计论文;1;2;3;江苏信息职业技术学院毕业设计（论文） 第二章 ＷＡＴ测试介绍 ＷＡＴ的作用 WAT在代工厂中处于比较特殊地位，位于所有加工工艺之后出货品质检测之 前，所有wafer必须经过WAT的测试，并且测试结果必须面满足客户给出的规格 要求WAT在集成电路芯片测试过程中显得尤为重要. WAT测试出来的窗口数据，除了作为出货的判断依据外，还有很多方面的用 途，包括检测工艺窗口，对工艺进行除错，对可靠性刻画，对电路设计进行器件 建模，开发下一代产品。WAT数据使用者包括：工艺整合工程，工艺工程，产品 工程，器件工程师。 ＷＡＴ测试参数介绍 一般来说 WAT 参数测试分为两大类，一类和器件相关的，包括 MOS 开启 电压饱和电流，关闭电流，击穿电压等。另一类和工艺相关的，包括结膜层接触 电阻栅氧华层电性厚度隔离等。 开启电压为MOS 从关闭状态到开启状态时，栅极上的电压，开启电压分线 性区开启电压和饱和区开启电压，线性开启电压测试条件为源和衬底接地，漏极 接小电压通常为 0.1 伏。NMOS 为正，PMOS 为负，栅极从 0 伏扫到工作电压， 在漏极电流达到一个给定值的时候栅极的电压就是开启电压，饱和区线性开其电 压和线性区开启电压测试条件类似，区别在于漏极电压为开启电压，开启电压如 果则再有微小的情况容易打开，造成错误。图 1 为MOS 击穿电压图。;5;江苏信息职业技术学院毕业设计（论文）;7;江苏信息职业技术学院毕业设计（论文） 3.2.5 主要操作流程 当 p8 选完之后按操作界面上的开始按钮即开始测试此时操作者开始将测试 相关的信息输入测试窗口主要信息有测试项，测试名，片子的的批号，以及工艺。 当输入片号时一定要检查片号输入是否正确若输入有误将会带来不可预见的的 损失。轻则产品结构异常重则整批全部报废。则将给公司以及个人带来巨大损失。 所以输入片号时一定要细心认真。测试操作如表 1）所示。 表 1 P8 操作流程;9;110;111;112;113;114;115;116;117