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第 26 卷 第 12 期 传 感 技 术 学 报
Vol. 26 No.摇 12
CHINESE JOURNAL OF SENSORSAND ACTUATORS
2013 年 12 月 Dec. 2013
The Design of Silicon Substrate AlN Ellipse IDT Structure SAW Filter *
WANG Daiqiang1,2,3 4 1 2,3*
, CHEN Yuqing , YAO Zuming , LIU Qiao
(1 . The Armed Forces College of Guizhou University, Guiyang 550025, China ;
2 . The Electronic Information College of Guizhou University, Guiyang 550025, China ;
3. Micro 鄄 nanoelectronicand Software Technology Key Laboratory of Guizhou Province, Guiyang 550025, China ;
4 . Guizhou Guiyang College, Guiyang 550025, China )
Abstract :The propagation velocity of surface acoustic wave( SAW) of AlN film is the fastest in the known
piezoelectric materials.The AlN / Si film is used in this design,weighting apodization methods was used to optimize
the design of IDT,and the improved 啄function model was used as modeling tool of weighted apodization ellipse IDT
structure. According to the results of simulation,a layout of SAW band filter鄄 waspassdesigned and a sample was
fabricated with center frequency of 300 MHz and insertion loss of 11 dB. The test results show the consistency of
simulation results and experimental results. The design shows its potential in practical application.
Key words :filter;ellipse IDT structure;apodization weighted;insertion loss;AlN film
EEACC : 7230 摇摇 摇摇 doi : 10. 3969 / j. issn. 1004-1699. 2013. 12. 013
硅基 AlN 椭圆形 IDT 鄄 SAW滤波器的设计
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