低温退火对多晶硅片强度的影响.ppt

低温退火对多晶硅片强度的影响 江西赛维 LDK 太阳能高科技有限公司 刘林艳 2013.11.08 1 、引言 ? 降低晶硅电池成本的一个重要方向是降低硅片厚度，但厚度 降低带来的重要问题是其碎片率会增加。从而使得如何提高 硅片的强度以降低硅片碎片率，这面的研究备受关注； ? 试验数据表明，低温退火且无保护气氛的情况下，硅片的强 度和弯曲度都有所提高，在生产上具有可行性； 2 、实验方法 ? 材料选取 3 组姊妹片 头尾样片 ? 工艺处理 一组硅片和样片都进行 450 ℃ 退火 60min ，退火采取空气气氛 下热进热出，快冷的方式。 另一组硅片进行了常规电池工艺的酸制绒处理。 ? 测试 FTIR 测量样片前后间隙氧含量； μ -PCD 测量退火前后硅片间隙铁含量； PL 测量退火前后硅片的 PL 强度； 强度测试仪测量退火前后，制绒前后硅片的破碎力和最大变 形量。 强度测试仪 3 、实验结果 ? 相比于裸片，退火后硅片的破碎力明显增大； ? 制绒后硅片的破碎力有一点点增加，但幅度甚微（制绒后厚度减少对破碎力 会有一点影响）。 ? 相比于裸片，退火后硅片的变形量明显增大；与前面不同，退火制绒片的变 形量也明显增加，且分布相对集中。 4 、分析与推论 硅片的杂质、应力和表面状态是影响硅片机械 强度的三大因素。 ? ① 杂质的分布与形态 ? ② 残余应力 ? ③ 表面损伤层 ? 杂质 4 、分析与推论 ? 退火后，头尾样片的氧含量都有所增加，但幅度甚微； ? 硅块在退火过程中氧二聚体 O 2i 的分解、碳氧复合体的分解或氧沉淀的消融都有可能导 致这种情况的产生。 ? 本实验中认为氧对退火后的强度的影响不大。 ? 退火后，间隙铁含量有少量减少， 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 间隙铁退火前 间隙铁退火后 浓 度 / × E 1 0 c m - 3 从尾至头 → 950 度 1200 度 图 : 位错滑移距离与时间关系 [8] 李东升 . 博士学位论文 . 浙江大学 .2001. ? 不同热处理温度下， NCZ 硅片的位错滑移距离降低。 ? 快冷情况下，由于时间短暂，铁还来不及长距离扩散，铁沉淀形核在较低的 温度，过饱和度较大，所以形成了高密度但体积较小的铁沉淀，主要在晶界 上偏聚。 ? 推测铁沉淀在晶界上的偏聚，在一定程度上增强了晶界对裂纹的阻碍，从而 增强了硅片的强度和弯曲度 [12] Pickett M D, Buonassisi T. Appl Phys Lett, 2008, 92: 122103 (a) 退火前 (b) 退火后 ? 晶界的变化 4 、分析与推论 ? PL 强度整体增加， ? 晶界衬度降低， ? 位错对应的黑色区域颜色变淡。 [[7] V.A. Popovich, A. Yunus, et al. 25th EPSEC, Valencia, 2010, pp.2631-2636 10] V.A. Popovich, J.M. Westra et al., PVSC, Seattle, 2011, pp.1668-1673 ? 拉曼应力测试显示晶界处的残余应力比晶粒内的高 50~70Mpa ； ? 强度测试结果显示，小晶粒硅片的强度比大晶粒的低； ? 晶界可能是多晶硅片强度的最弱源。