半导体集成电路复习总结剖析.docx

1、 隐埋层杂质的选择原则； ①杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低； ②高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距离； ③与硅衬底晶格匹配好，以较小应力 因此最理想的隐埋层杂质是砷（ As） 2、 外延层厚度包括哪几个部分，公式里的四项分别指什么？ 延层厚度应满足 TepiXjc+Xmc+TBL-up+Tepi-ox 集区扩散结深 Xjc 、集电极耗尽区宽度 Xmc、埋层扩散上推距离 TBL-up 和为外延淀积 后各道工序生成的氧化层所消耗的外延层的厚度 tepi-ox; 3、 双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么？ 七次光刻 ： N+隐埋层扩散孔光刻； P+隔离扩散孔光刻； P 型基区扩散孔光刻； N+发射 区扩散孔光刻；引线接触孔光刻；金属化内连线光刻；压焊块光刻； 四次扩散 ：隐埋层扩散； P 型隔离扩散； P 型基区扩散； N+发射区扩散； 4、 集成和分立的双极型晶体管结构上有何区别？ 在 pn 结隔离工艺中， 典型 NPN集成晶体管的结构是四层三结构， （ NPN管高浓度 N 型扩 散发射区， NPN管 P 型扩散基区， n 型外延层（ PNP管集电极），p 型衬底 EB 结 BC 结 CS结）而分立的是三层二结结构 5、 扩散电阻最小条宽的确定原则； （ P58） ①设计规则决定的最小扩散条宽 Wmin ②工艺水平和电阻精度要求所决定的最小电阻条宽 Wr， min ③流经电阻的最大电流决定 Wr， min 分析了对电阻最小条宽的三种限制， 在设计扩散电阻的最小条宽时应取其中最大的一个 6、 SBD与普通二极管的相比，有哪些特点？ ①SDB的正向导通压降 Uth 小 ; ②小注入时 SDB是多子导电器件，改变电压时，响应速度快； ③SBD的反向饱和电流 Ids 大 ; ④SDB正向电压温度系数小； 7、 集成电阻器和电容器的优缺点； （ P55） 优点： 元件间的匹配及温度跟踪好 缺点： ①精度低，绝对误差大； ③可制作范围有限，不能太大，也不能太小； ②温度系数较大； ④占用的芯片面积大，成本高； 11、横向 PNP管的直流电流放大倍数小的原因； (P31-34) ①存在纵向 PNP的影响 在图形设计上减少发射区面积与周长之比 在工艺上可采用增大结深及采用埋层工艺等方法②横向 PNP管本身结构上的限制 其横向平均基区宽度不可能做得太小 发射极注入效率低 表面复合影响大 12、减小 NPN晶体管中的集电极串联电阻 r CS 的方法；（ P24） ①在工艺设计上，采用加埋层的方法以减小 rcs ，在满足工作电压要求情况下减小外 延层电阻率和厚度，采用深 N+集电极接触扩散以减小 rcs 。 ②在版图设计上， 电极顺序采用 BEC排列来减小 LEC ，以减小 rc2 ，采用双集电极或马 蹄形集电极图形减小 rc2 ，但芯片面积及寄生电容增大了。 1 13、衬底 PNP的特点；（ P37） ①纵向 PNP管的 C 区为整个电路的公共衬底， 直流接最负电位， 交流接地。 适用范围有限，只能用作集电极接最负电位的射极跟随器。 ②晶体管作用发生在纵向， 各结面较平坦， 发射区面积可以做得较大， 工作电流比横向PNP大。 ③ 因为衬底作集电区，所以不存在有源寄生效应，故可以不用埋层。 ④外延层作基区，基区宽度较大，且硼扩散 p 型发射区的方块电阻较大，因此基区输运系数和发射效率较低，电流增益较低。 ⑤由于一般外延层电阻率ρ epi 较大，使基区串联电阻较大。 14、集成二极管中最常用的是哪两种，具体什么特点？（ P40） ①集成齐纳二极管： 反向工作的 BC短接二极管， 没有寄生 PNP效应，且储存时间最短，正向压降低； ②次表面齐纳管：单独 BC结二极管，不需要发射结，面积可以做得很小，结电容小，开关时间短，正向压降也很低，且击穿电压高 15、 SCT的工作特点？（ P43） （ 1）当 SCT工作于正向工作区或截止区时，有（ VBE0 VBC0 或 VBE0 VBC0） SBD处于反 偏状态，可以忽略其作用，此时 SCT相当于一般的 NPN管 （ 2）当 SCT工作于反向工作区或饱和区时， V 0，此时又可分为两种情况： BC ① VBC小于 SBD的导通压降， SBD仍未导通，所以 ， I B =IB。 ② V 大于 SBD的导通压降，于是 SBD导通， I 被分流，晶体管的 V 被钳位 0.45V BC B BC 16、 MOS集成电路工艺中提高场开启电压的方法？（ P46） ①加厚场氧化层的初始厚度，并严格控制随后加工中的腐蚀量。 ②在场区注入 （或扩散） 与衬底同型的杂质， 以提高衬底表面浓度， 但掺入杂质要适当。 CMOS反相器设计采用两