考试考点2-黄蹬峰.docx

pn结形成及机理； PN结的形成 p型半导体和n型半导体接触，因浓度差，致使多子扩散运动，由杂质离子形成空间电荷区，空间电荷区形成形成内电场，内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散。最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 工作原理： 在太阳能电池中产生的电流叫做“光生电流”，它的产生包括了两个主要的过程。 第一个过程是吸收入射光子并产生电子空穴对。 e-h对只能由能量大于太阳能电池Eg的光子产生。 然而，电子和空穴是处在亚稳定状态的，在复合之前其平均生存时间等于少数载流子的寿命。 如果载流子被复合了，光生电子空穴对将消失，也没有电流和电能产生。 第二个过程是，pn结通过对这些光生载流子的收集，即把电子和空穴分散到不同的区域，阻止了它们的复合。 pn结是通过其内建电场的作用把载流子分开的。 如果光生少子到达pn结，将会被内建电场移到另一个区，然后它便成了多数载流子。 如果用一根导线把发射区跟基区连接在一起（使电池短路），光生载流子将流到外部电路。 XRD，布拉格方程； X-射线的性质 ① 肉眼不能观察到，但可使照相底片感光、荧光板发光和使气体电离； ② 能透过可见光不能透过的物体； ③ 这种射线沿直线传播，在电场与磁场中不偏转，在通过物体时不发生反射、折射现象，通过普通光栅亦不引起衍射； ④ 这种射线对生物有很厉害的生理作用。 X射线的波长范围为0.01～100? X射线的产生：通过高速运动的电子流轰击金属靶来获得的 特征X线：把原子的内层电子打到外层或者甚至把它打到原子外面，而使原子电离，从而在原子的内电子层中留有缺席的位置，外层高能级的电子回跃填补空位，并以X射线的形式辐射多余的能量。 一束波长为λ的Ｘ射线透过晶体时，某一特定方向上的散射X射线发生叠加，这种现象称为X射线衍射 布拉格方程： 2dsinθ= nλ 外延方法，3-5族太阳能电池； III-V族化合物的薄膜生长技术，主要是利用外延生长法，又可细分为液相外延、有机金属化学气相淀积法、分子束外延等 外延是指在一晶体上有次序的生长另一层晶体 如果衬底与所长的外延层材料相同的话，就叫做同质外延，如果衬底与所长的外延层材料不相同的话，就叫做异质外延 使用不同的衬底材料会影响所生长的Ⅲ-V族化合物薄膜的电学及光学性能。在生长这些薄膜时要注意的是晶格常数的匹配性 液相外延：由液态物质来长出外延层 MOCVD为有机金属化学气相沉积外延技术，它是在低压下利用有机金属在反应器内进行化学反应，并使反应物沉积在被加热到600～800℃的晶片上，而得到外延片的生产技术。 分子束外延技术(MBE)：在超高真空状态下（～10-10torr），让热原子或热分子束自原料中分离出来，然后在基板表面进行反应，而沉积产生外延薄膜的一种技术。 III-V族材料的优点： （1）太阳电池的理论转换效率与半导体的能隙大小有关，一般最佳的太阳电池测量的能隙为1.4～1.5eV之间，所以能隙为1.43eV的GaAs及1.35eV的InP会比1.1eV的硅更适合用在高效率的太阳电池上 （2）利用各种Ⅲ-V族化合物所形成的多结太阳电池可增加被吸收波长的范围，更可达到高效率化的目的。 （3）硅是间接带隙材料，对于光的吸收系数较小，一般需要采用200um以上的厚度，才能吸收到足够的太阳光，而Ⅲ-V族化合物多为直接带隙材料，对于光的吸收较强，仅需要数微米的厚度，就能吸收到足够的太阳光。 （4）GaAs太阳电池的温度系数较小，能在较高的温度下正常工作。 （5）可制成效率更高的多结叠层太阳电池 （6）GaAs基系太阳电池具有较强的抗辐照性能 分类： （1）GaAs基单结太阳能电池 GaAs/GaAs同质结太阳电池 GaAs/Ge异质结太阳电池 （2）GaAs基多结叠层太阳能电池 AlGaAs/GaAs叠层电池 GaInP/GaAs叠层电池 GaInP/GaAs/Ge三结叠层电池 （3）III-V族聚光太阳能电池 PECVD，基本成膜； Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition（PECVD）即“等离子增强化学气相沉积” 它是借助等离子体使含有薄膜组成原子的气态物质发生化学反应， 而在基片上沉积薄膜的一种方法。 PECVD系统有很多种类型，其主要组成部件有：真空室组件、直流电源、基片水冷加热台、窗口及法兰接口部件、工作气路、抽气机组（机械泵和分子泵）、阀门及管道、真空测量及电控系统。 PECVD基本原理： 等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)是在沉积室内建立高压电场，反应气体在一定气压和高压电场的作用下，产生辉光放电,反应气体被激发成非常活泼的分子，原子，离子和原子团构成的等离子体。正离子和电