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门极可关断晶闸管GTO 驱动电路电力电子器件驱动电路简介电力电子器件的驱动电路是指主电路与控制电路之间的接口，可使电力电子 器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效 率、可靠性和安全性都有重要的意义。一些保护措施也往往设在驱动电路中，或 通过驱动电路实现。驱动电路的基本任务：按控制目标的要求施加开通或关断的 信号；对半控型器件只需提供开通控制信号；对全控型器件则既要提供开通控制 信号；又要提供关断控制信号。门极可关断晶闸管简称 GTO, 是一种通过门极来控制器件导通和关断的电 力半导体器件，它的容量仅次于普通晶闸管，它应用的关键技术之一是其门极驱 动电路的设计。门极驱动电路设计不好，常常造成 GTO 晶闸管的损坏，而门极 关断技术应特别予以重视。门极可关断晶闸管 GTO 的电压、电流容量较大，与 普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。GTO 驱动电路的设计要求由于GTO是电流驱动型，所以它的开关频率不高。GTO驱动电路通常包括开 通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和 直接耦合式两种类型。用理想的门极驱动电流去控制GTO 的开通和关断过程， 以提高开关速度，减少开关损耗。GTO 要求有正值的门极脉冲电流，触发其开通；但在关断时，要求很大幅度的负脉冲电流使其关断。因此全控器件 GTO 的驱动器比半控型SCR 复杂。门 极电路的设计不但关系到元件的可靠导通和关断, 而且直接影响到元件的开关时间、开关损耗, 工作频率、最大重复可控阳极电流等一系列重要指标。门极电 路包括门极开通电路和门极关断电路。GTO 对门极开通电路的要求:GTO 的掣住电流比普通晶闸管大得多, 因此在 感性负载的情况下, 脉冲宽度要大大加宽。此外, 普通晶闸管的通态压降比较小,当其一旦被触发导通后, 触发电流可以完全取消, 但对于 GTO, 即使是阻性负载, 为了降低其通态压降, 门极通常仍需保持一定的正向电流, 因此, 门极电路的功 耗比普通品闸管的触发电路要大的多。对门极关断电路的要求：GTO 对作为关断脉冲的负向门极电流有很高的要求。负向门极电流的幅值，斜率直接影响到元件的元断能力、关断时间及关断损耗。要求门极关断回路有足够大的动力源, 回 路阻抗和感抗非常小，用作门极关断回路的开关元件要有很小的内阻, 较宽的频 带和较好的承受冲击电流的能力。GTO 的普通驱动电路下图 1 为普通的 GTO 驱动电路原理图。当输入信号为正脉冲时，光耦合器 B 导通，三极管 V1 截止，V2 和 V3 导通，电源 E1 经 R7、V3 及 C3(R8)触发GTO 导通。当输入信号为零脉冲时，光耦合器B 截止，V1 导通，V2 和V3 截止。关 断电路中的 V4 导通，V5 截止，晶闸管 VT 经 R13 和 R14 获得触发信号并导通， 电源E2 经 VT、GTO、R8、R15 形成门极负电流使GTO 关断。电路中 C1 到 C5 为加速电容。图 1 门极可关断晶闸管驱动电路 应用这种电路驱动 GTO 时，容易造成大容量晶闸管内部数个并联的小晶闸 管开通过程中先是局部几个单元开通，然后等离子体在整个芯片内向边沿扩展。 最初较高的电流上升率可能使最先导通的区域过载而导致器件损坏，因此必须采 用较大的抑制电感来抑制电流上升率。同时，为了获得合理的关断增益，对于 GTO 晶闸管响应时间来说只能施加较小的门极电流，从而导致存储时间过长 (20us)，造成关断不同步，du/ dt 耐量低, 并需要体积庞大的吸收电容。因此，这 种电路的最高开关频率一般限制在 300—500Hz。下面介绍新型的“硬驱动门极驱 动技术”。4.“硬驱动”门极驱动技术所谓GTO 晶闸管的“硬驱动”是指在 GTO 在关断过程中的短时间内，给其 内阴极加以上升率 di/dt 及幅值都很大的驱动信号。图 2 是硬驱动门极单元的典 型电路。它可分成两部分，上部分电路控制开通过程，下部分电路控制关断过程, 且两部分独立工作。电路设计时应使其电感最小值化，LG 为杂散电感。其工作过程分析如下：在开通期间，电容通过开关S10 放电，在约 250ns 内产生 1000A的硬驱动门极电流。门极电流通过二极管维持在高水平，然后通过S11 由 5V 电源 维持。在较大门极电流脉冲作用下，GTO 晶闸管等效原理电路中 N-P-N 晶体管 开通，N 发射区注入电子，并输送到 N 基区，产生相应空穴注入。空穴电荷区开始崩缩，阴极电压在 100 ns 内下降到 VA 200V。此时，主电流仍很小，这就意味着晶体管作用强于晶闸管作用。在关断期间，电容 C2 通过开关 S20 吸收数千安培的大电流脉冲，电流脉冲的上升时间约为 1.5us。另外，开关