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H o l t e k M C U 抗 雜 訊 對 策 與 程 式 可 靠 性 設 計 軟件處理:得當之軟件處置措施，可增加系統穩定性與可靠度。並 提昇產品對電源或輻射雜訊之免疫力。軟件處理的越周詳嚴密系 統性能就越穩定安全。 WDT 選用時使用 2 條指令 clr wdt1; clr wdt2 為了避免 MCU 在死迴圈中的 WDT 清除因此在程式中使用 clr wdt1 … . …. Clr wdt2 可以避免當機在死迴圈中時 WDT 無法啟動! 在啟用中斷程式時,stack[堆疊]需保留一層以提供中斷程式啟 動時之即時處理!如 HT48R05A-1 有二層 STACK，在使用中斷 程式情況下副程式最好只 CALL 一層，以保證中斷發生之及 時處理不被延遲。在不得不使用二層 stack 狀況下則暫時將中 斷遮蔽。 在高雜訊的環境下儘量不使用外部中斷。 注意 5 種不同的啟動方式有不同的處理流程 Power Reset; Normal WDT Time Out Reset; Normal Reset ; Halt Reset ; Halt WDT Time out 甲、Power reset : power delay 1ms 以後待電源與 IC 均到達 穩態，先關閉中斷;再開始規劃 timer 與 I/O 及其它暫存器等功;能暫存器;將使用的 I/O 口置於機器初始狀態，將不用的 I/O 口 設置為輸出;初始化所有的 RAM;如果有液晶片或其它輸出先 將其置於 OFF 狀態。 乙、Normal operation WDT time out reset :判斷 WDT 標誌位 啟動，CLR WDT，將已改變之功能暫存器回復正常值，將存 在 RAM 中的輸出參數重新設定在 I/O 口上，WDTS 重新設定! 回跳原程式繼續執行。 丙、Normal operation Reset : 在高雜訊環境下 MCU 可能會 被 RESET，因此可讀取正常運作時預存在 RAM 之標誌位元 組[如 55H 或AAH]，為了讓 MCU 可以Reset 後繼續正常運作， 將 RESET 後已改變之功能暫存器回復正常值，將存在 RAM 中的輸出參數重新設定在 I/O 口，回跳至原段落繼續執行。 丁、Halt mode Reset : 同丙之處理方式 戊、Halt mode WDT time out : 不需作特殊軟體處置。 在不影響產品性能情況下將 I/O 口設置為輸出。 沒有使用到的剩餘 ROM 位置全部 jmp reset 以防制程式 RUN 至 Program ROM 之空白區。 不論開機 MCU 預設值是否符合需求，所有暫存器一定需要重 新規劃!以避免不必要之設定錯亂。;(h) RAM 有剩餘情況下盡可能在輸出 I/O 參數前存放輸出參數， 軟件處理重要參數也可以備多份參數在RAM 中並加上防錯檢 查碼以確保 RAM 中參數正確性，以備 RESET 或 WDT 啟動 時將輸出參數重新寫至輸出口與回復重要參數。 (i) 每次輸出至I/O 口後或RAM 回讀確認以防止輸出資料之錯亂 而啟動不正確之負載。 具有危險性之負載以軟件脈衝驅動再透過電容藕合以避免 MCU 當機時之誤啟動而發生危險。 外部週邊可編程之硬件需要隨時刷新以防制被干擾後之重新 回復狀態。 在各重點程式入口加註編號在重新啟動時可以依編號回跳回 正確的入口程式。 在經常執行的路徑上規律的寫入 55AA H 等軟啟動檢查用參 數，以防止資料被破壞。;是可以不需加 osc1 osc2 電容。但 layout 時最好保留該電容 位置以因應不同應用之需求。 HT46/HT47/HT48/HT49 之 Reset 電路可以簡化成一上拉電阻 阻值約 510 ohm!不需加 reset 接地電容，由於電源高頻噪音會 透過 Reset 電容而直接侵入 Reset 電路。Layout 一樣要以最寬 與最短距離處理。離地線與 VDD 之佈線也儘可能減少藕合強 度。 電源與地間要最短位置並盡量拉等寬與等距的線，在節點位置 加上 104/103/102 等陶磁電容。注意在電容焊點位置需縮小佈線 面積，以防高頻雜訊由過寬的銅箔滲入 MCU，降低了電容的功 效。 高噪音之負載最好以光隔元件隔開或加吸噪音電路。 按鍵或輸出口容易被ESD 侵入之路徑預留電阻或電容位置以在 必需時加入，以補強結構上抗靜電能力。 電源部份加入反應足夠的高頻濾波電路以確保雜訊的濾除。 在有危險的負載需加上電阻上拉或下拉以防制 MCU 損壞時之 誤動作。