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全控型器件 Full-controlled Devices 主讲：伍文俊 自动化与信工程学院电气系 -- 电力电子技术 -- 目录 ? 门极可关断晶闸管 ? 电力晶体管 ? 电力 MOSFET ? 绝缘栅双极晶体管 ? 其他全控型器件 2 自动化与信工程学院电气系 -- 电力电子技术 -- 3 § 2.2 门极可关断晶闸管 GTO (Gate-Turned-Off Thyristor) 一、结构与工作原理 1 、结构： 多元集成元件， 放射门极结构 。它可以等效成多个小 GTO 元 的集成 ( 并联 )--- 可实现门极控制关断。 对比晶闸管：中央门极结构 自动化与信工程学院电气系 -- 电力电子技术 -- 4 2 、工作原理 与普通晶闸管相同，可采用双晶体管模型分析。开关速 度高于普通晶闸管， di/dt 承受能力大于晶闸管。 3 、电气符号 R NPN PNP A G S K E G I G E A I K I c2 I c1 I A V 1 V 2 P 1 A G K N 1 P 2 P 2 N 1 N 2 a) b) 晶闸管？ 自动化与信工程学院电气系 -- 电力电子技术 -- 5 二、工作特性 1 、特点 1 ）门极可以控制开通，也可以控制关断； ---- 全控型 流控型器件 脉冲控制型 2 ） 开通条件 ：正向阳极电压，正向门极电压； 关断条件 ：门极加负脉冲（不能通过门极电流为零 关断） 3 ）开关速度及 di/dt 承受能力高于晶闸管 4 ）单向导电性。 2 、静态特性 伏安特性同晶闸管 自动化与信工程学院电气系 -- 电力电子技术 -- 6 3 、动态特性 1 ）开通过程： 开通时间： t on =t d +t r SCR : t : t 同 上升时间 延迟时间 ? ? ? r d O t 0 t i G i A I A 90% I A 10% I A t t t f t s t d t r t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t 6 抽取饱和导通时储存 的大量载流子的时间 等效晶体管从饱和区 退至放大区，阳极电 流逐渐减小时间 残存载流 子复合所 需时间 自动化与信工程学院电气系 -- 电力电子技术 -- 7 2 ）关断过程： 关断时间 : t off =t s +t f +t t 存储时间 t s :I A — 0.9I A 下降时间 t f : 0.9I A — 0.1I A 拖尾时间 t t : 远大 t s 门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡。抽走存储载流子 的速度越快， t s 越小。若使门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在 t t 阶段仍能保持适当的负电压，则 t t 越小。 三、可关断晶闸管的主要参数 1 、开通时间 t on 2 、关断时间 t off 自动化与信工程学院电气系 -- 电力电子技术 -- 8 3 、最大可关断阳极电流 I ATO GTO 通过负脉冲能够关断的最大阳极电流。它是 GTO 的额定电流。 4 、电流关断增益 β off 最大可关断电流与门极负脉冲电流最大值 I GM 之比。 一般很小， 5~10 。若 1000A 的 GTO ，门极负脉冲为 200~100A ，很大，这是 GTO 的缺点。 Back 自动化与信工程学院电气系 -- 电力电子技术 -- 9 1 、结构 普通晶体管结构 GTR 结构 符号 § 2.3 电力晶体管 GTR (Giant Transistor — Power BJT) 一、结构与工作原理 由至少两个晶体管按达林顿接法组成，同 GTO 一 样采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。 2 、工作原理 同普通的双极结 型晶体管 3 、电气符号 Bipolar junction transistor 自动化与信工程学院电气系 -- 电力电子技术 -- 10 二、工作特性 2 、静态特性 3 ）开关频率较高、动态性 能好、承受功耗小、控制方 便。阻断能力差、瞬态过电 压及过载能力差。 截止区 放大区 饱 和 区 图1-16 O