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第六章 物理气相淀积 物理气相淀积（PVD－Physical Vapor Deposition）： 利用某种物理方法使物质由源按一定化学计量比转移到衬底表面并淀积形成薄膜的过程。通常用于金属、金属氧化物或其它固 态化合物的淀积。 物理气相淀积一般以单质固态材料为源，采用各种物理方法将源变为气态，并在衬底表面淀积成膜。根据固体源气化方式不同，可以把物理气相淀积技术分为真空蒸发和溅射两种最基本的方法。 物理方法 淀积在 固态源 气 态 薄 膜 衬底表面 2011-03-23 1 6.1 真空蒸发 一、真空蒸发过程及设备 真空蒸发：利用固体材料在高温时所具有的饱和蒸汽压进行薄膜制备的物理气相淀积技术。 主要物理过程：在高真空环境中加热固体蒸发源，使其原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸气流并入射到衬底表面，凝结形成固态薄膜。真空蒸发又称为热蒸发。 主要应用：制作有源元件、器件的接触及金属互连，高精度低温度系数薄膜电阻器和薄膜电容器的绝缘介质及电极等。 显著的优点：设备简单，操作简便，淀积薄膜纯度较高，厚度控制比较精确，成膜速度快以及生长机理简单等等。 明显的缺点：淀积薄膜与衬底附着力较小，工艺重复性不够理想，台阶覆盖能力较差等等。 2011-03-23 2 淀积膜的台阶覆盖（step coverage） 保形台阶覆盖：无论衬底表面有什么样的非平坦图形，淀积薄膜都能保持均匀的厚度，反之称为非保形台阶覆盖。 L θ 膜厚正比于 W θ = arctan L W 保形覆盖：与淀积膜种类、反应系统类型、淀积条件、图形尺寸等有关。 三种机制：入射、再发射、表面迁移。 2011-03-23 3 真空蒸发设备主要由三部分组成： 真空系统：为蒸发 过程提供真空环境； 蒸发系统：放置蒸发源以及对蒸发源加热和测温的装置； 基板及加热系统： 放置衬底以及对衬底加热和测温的装置。 真空蒸发法制备薄膜的过程包含以下几个连续的步骤： 加热蒸发过程：对蒸发源进行加热，使其温度接近或达到 蒸发材料的熔点，此时固态源表面原子容易逸出而转变为蒸气； 气化原子或分子在蒸发源与衬底之间的输运过程：原子或分子在真空环境中由蒸发源飞向衬底，飞行过程中可能与真空室内残余气体分子发生碰撞，碰撞次数取决于真空度以及源到衬底间的距离； 被蒸发的原子或分子在衬底表面的淀积过程：飞到衬底表 面的原子发生凝结、成核、生长和成膜。由于衬底温度通常低于 蒸发源温度，同时被蒸发的原子或分子只具有极低能量，在衬底表面不发生移动，因此到达后直接从气相转变为固相，快速凝结在衬底表面。 2011-03-23 5 蒸发速率＆淀积速率 蒸发速率是工艺上的一个重要参数，它直接关系到薄膜的淀积速率： R = M P 2π kT ME e Pe = 3 ×1012 σ 3/ 2 T 1/ 2 e H υ / NkT ，为被蒸发材料的平衡蒸气压。 影响蒸发速率的因素主要有蒸发源温度、蒸发面积、衬底表 面清洁度以及蒸发源加热方式等。由于物质的平衡蒸汽压随温度的上升快速增大，因此对物质蒸发速率影响最大的因素是蒸发源的温度。 薄膜淀积速率： Rd = M Pe AZ 2π k ρ 2 T 上式中，右边第一项仅由蒸发材料决定，第二项取决于温度，第三项由蒸发腔的几何形状决定。 2011-03-23 6 常用单位换算表 帕斯卡 千克力每 巴 标准 托 毫米汞柱 平方厘米 大气压 Pa(N/m2) Kgf/cm2 bar atm Torr mmHg Pa 1 1.02×10-5 1×10-5 9.87×10-6 7.5×10-3 7.5×10-3 Kgf/cm2 9.8×104 1 0.98 0.967 735.56 735.56 bar 1×105 1.02 1 0.987 750.06 750.06 atm 101325 1.03 1.01 1 760 760 Torr 133.32 1.36×10-3 1.33×10-3 1.32×10-3 1 1 mmHg 133.32 1.36×10-3 1.33×10-3 1.32×10-3 1 1 2011-03-23 7 晶片与坩埚的位置确定了视角因子Z Rd = M Pe AZ 2π k ρ 2 T Z = cos θ cosφ π R2 如果晶片与坩埚均在同一圆周 r 上，薄膜均匀性较好，此时： cos θ = cos φ = R 2r Z = 1 4π r2 蒸发工艺的缺陷之一：台阶覆盖能力差 晶片与坩埚的位置 为了改善台阶覆盖，可采用的办法有： 蒸发过程中旋转晶片； 2. 蒸发过程中加热晶片，增加原子的迁移能力。 2011-03-23 8 二、常用真空蒸发系统 真空蒸发的主要物理过程之一是采用各种技术加热蒸发源，根据对蒸发源加热方式的不同，常用真空蒸发系统可分为