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5 章 场效应管放大电路 场效应管 结型场效应管 场效应晶体三极管是由一 种载流子导电的、 用输入电压控 制输出电流的半导体器件。 从参 与导电的载流子来划分， 它有自 由电子导电的 N 沟道器件 和 空穴 导电的 P 沟道器件 。 按照场效应三极 管的结构划分，有结 型场效应管和绝缘栅 型场效应管两大类。 1. 结构 2. 工作原理 N 沟道 PN 结 N 沟道场效应管工作时， 在 栅极与 源极 之间 加负 电压， 栅 极 与沟道之间的 PN 结为反偏 。 在漏极、源极之间加 一定正电压，使 N 沟道 中的多数载流子 ( 电子 ) 由源极向漏极漂移，形 成 i D 。 i D 的大小受 V GS 的 控制。 P 沟道 场效应管工作时， 极性相反， 沟道中的多 子为空穴。 ①栅源电压 V GS 对 i D 的控制作用 当 V GS ＜ 0 时， PN 结反 偏，耗尽层变厚，沟 道变窄，沟道电阻变 大， I D 减小； V GS 更负，沟道更窄， I D 更小； 直至沟道被 耗尽层全部覆盖，沟 道被夹断， I D ≈0 。 这 时所对应的栅源电压 V GS 称为 夹断电压 V P 。 ②漏源电压 V DS 对 i D 的影响 在栅源间加电压 V GS ＞ V P ， 漏源间加电压 V DS 。 则因漏 端耗尽层所受的反偏电压为 V GD = V GS - V DS ， 比源端耗尽 层所受的反偏电压 V GS 大 ,( 如 : V GS = - 2V , V DS =3V , V P = - 9V , 则漏端耗尽层受反 偏电压为 - 5V ，源端耗尽层 受反偏电压为 - 2V), 使靠近 漏端的耗尽层比源端厚，沟 道比源端窄，故 V DS 对沟道 的影响是不均匀的，使沟道 呈楔形。 当 V DS 增加到使 V GD = V GS - V DS = V P 时，在紧靠漏极处出现预夹断点， 随 V DS 增大，这种 不均匀性越明显。 当 V DS 继续增加时，预夹断点向 源极方向伸长为预夹断区 。 由于 预夹断区电阻很大，使主要 V DS 降落在该区，由此产生的强电场 力能把未夹断区漂移到其边界上 的载流子都扫至漏极，形成漏极 饱和电流 。 JFET 工作原理 （动画 2-9) （ 动画 2-6 ） (3) 伏安特性曲线 ①输出特性曲线 C V DS D GS V f i ? ? ) ( 恒流 区 ： ( 又称饱和区或放大区） 特点 : (1) 受控性： 输入电压 v GS 控 制输出电流 ? ? 2 1 V v I i P GS DSS D ? ? (2) 恒流性： 输出电流 i D 基本上 不受输出电压 v DS 的影响。 用途 : 可做 放大器 和 恒流源 。 条件 :(1) 源端沟道未夹断 (2) 源端沟道予夹断 V V P GS ? V V V P GS DS ? ? 可变电阻区 特点 : (1) 当 v GS 为定值 时 , i D 是 v DS 的线性函数， 管子的漏源间呈现为线 性电阻，且其阻值受 v GS 控制。 （ 2 ） 管压降 v DS 很小。 用途： 做 压控线性电阻 和无触点的、闭合状态 的 电子开关 。 条件： 源端与漏端 沟道都不夹断 V V P GS ? V V V P GS DS ? ? 夹断区 用途： 做无触点的、 接通状态的 电子开关 。 条件： 整个沟道都夹断 V V P GS ? 击穿区 V V DS BR DS ) ( ? 当漏源电压增大到 时，漏端 PN 结 发生 雪崩击穿 ，使 i D 剧增 的区域。其值一般为 （ 20 — 50 ） V 之间 。由于 V GD = V GS - V DS, 故 v GS 越负 ， 对应的 V P 就越小。管子 不能在击穿区工作 。 0 ? i D 特点： ②转移特性曲线 C V GS D DS V f i ? ? ) ( 输入电压 V GS 对输出漏极电流 I D 的控制 ? ? ? ? ? ? ms g dv di v i m Q GS D Q GS D ? ? ? ? / / 结型场效应管 的特性小结 结 型 场 效 应 管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 金属 - 氧化物 - 半导体场效应管 绝缘栅型场效应管 Metal Oxide Semiconductor —— MOSFET 分为 增强型 ? N 沟道、 P 沟道 耗尽型 ? N 沟道、 P 沟道 增强型 ： 没有导电沟道， 。 时， 0 0 ? ? D GS i v 。 时， 0 0 ? ? D GS i v 耗尽型 ： 存在导电沟道， N 沟道 P 沟道 增强型 N 沟道 P 沟道 耗尽型 N 沟道 增强型 场效应管 1 . 栅源电压 V GS