InGaAsP半导体材料简介郭艳光.docVIP

光電子學期末報告 Introduction to InGaAsP Semiconductor Materials 指導教師 :郭艷光 (Yen-Kuang Kuo) 教授 學生 :蔡政訓 學號 :8522022 系別 :物理系 班級 :四年級乙班 內容大綱： （一）前言 （二）波長範圍與能隙（ Eg）寬 （三）起振條件與輸出功率： （四）各種不同結構的雷射 （五）先進的半導體結構及其性能 （六）結語 （七）參考書目 （一）、前言 現在是資訊時代，為了高速處理資訊社會所擁有的龐大資料，利用光 和電子技術之光電業於焉誕生 。應用同調 (coherence)光的工業在 1984 年度(以光學式影像機為中心 )的生產規模為 6600 億日元，到西元 2000 年，預 料將以光通訊為中心，生產規模也將成長為 12 兆日元。其製品包括同調光通訊系統、光 IC(光電子積體電路， OEIC) 光電算機等。 光 IC 係將光與電子的功能特性集積在一片基板上，而以砷化鋁鎵及 磷砷化銦鎵系半導體技術最為先進，其與化合物半導體 IC 同樣，有實現的可能。光電半導體材料之研究十分積極，已開發出砷化鎵、磷化銦、砷化鋁鎵、磷砷化銦鎵等。 至於光通訊系統方面，與傳統的有線通訊系統比較起來，光纖通訊具有較大的通訊頻寬，較小的訊號衰減，不受電磁波干擾，沒有串音、保密性高、線徑小、重量輕、可靠度高、、等優點，因此可已