MOS管的米勒效应-讲的很详细（详细解析）.docxVIP

For pers onal use only in study and research; not for commercial use 米勒效应的影响： MOSFE的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对 MOSFE的输入电容（主要 是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后，MOSFET就会进 入开通状态；当MOSFE开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFE进 入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到 最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值， 此时MOSFE进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。 由于米勒电容阻止了 Vgs的上升，从而也就阻止了 Vds的下降，这样就会使损 耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而 Vds下降） 米勒效应在MOS区动中臭名昭著，他是由MOST的米勒电容引发的米勒效应，在 MOS?开通过程中，GS电压上升到某一电压值后 GS电压有一段稳定值，过后 GS 电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢？因为，在MOST通前， D极电压大于G极电压，MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入 G极 与其中的电荷中和，因 MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严 重增加MOS勺开通损耗。（MOST不能很快得进入开关状态） 所以就出现了所谓的图腾驱动！ ！选择MOS时，Cgd越小开通损耗就越小。米勒 效应不可能完全消失。 MOSFE中的米勒平台实际上就是MOSFE处于“放大区”的典型标志 用用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就 是米勒平台。 米勒效应指在MOST开通过程会产生米勒平台，原理如下。 理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。 但此时开 关时间会拖的很长。一般推荐值加 0.1Ciess的电容值是有好处的。 下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。 驱动信号源 驱动信号源 删荷系数的这张图在第一个转折点处：Vds开始导通。Vds的变化通过Cgd和驱 动源的内阻形成一个微分。因为 Vds近似线性下降，线性的微分是个常数，从 而在Vgs处产生一个平台。 米勒平台是由于 mos的g d两端的电容引起的，即mos datasheet里的Crss。 这个过程是给Cgd充电，所以Vgs变化很小，当Cgd充到Vgs水平的时候，Vgs 才开始继续上升。 Cgd在mos刚开通的时候，通过mos快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担 了驱动电流，使得Cgs上的电压上升变缓，出现平台 Fig. 12. The gmph「「.二二：讥：.i 实和 TdsW id it) when turn on to~t1: Vgs from 0 to Vth.Mosfet 没通.电流由寄生二极管 Df. t1~t2: Vgs from Vth to Va. Id t2~t3: Vds下降.引起电流继续通过Cgd. Vdd越高越需要的时间越长. Ig为驱动电流. 开始降的比较快.当Vdg接近为零时,Cgd增加.直到Vdg变负,Cgd增加到最大. 下降变慢. t3~t4: Mosfet 完全导通,运行在电阻区.Vgs继续上升到Vgg. DO DO DO DO DO DO DO DO (b) ?Vqg(d) (b) ? Vqg (d) 平台后期，VGS继续增大，IDS是变化很小，那是因为MOSS和了。。。，但是，从 楼主的图中，这个平台还是有一段长度的。 这个平台期间，可以认为是 MOS正处在放大期。 前一个拐点前：MOS截止期，此时Cgs充电，Vgs向Vth逼进。 前一个拐点处：MOS正式进入放大期 后一个拐点处：MOS正式退出放大期，开始进入饱和期。 当斜率为dt的电压V施加到电容C上时(如驱动器的输出电压)，将会增大电容 内的电流： I=Cx dV/dt ( I=Cx dV/dt (1) Igate = I1 + I2 ，如下图所示 在右侧电压节点上利用式(1)，可得到： TOC \o 1-5 \h \z I1=Cgdx d(Vgs-Vds)/dt=Cgd x (dVgs/dt -dVds/dt) (2) I2=CgsX d(Vgs/dt) (3) 如果在MOSFE上施加栅-源电压Vgs，其漏-源电压Vds就会下降(即使是呈非线 性下降)。因此，可以将连接这两个电压的负增益定义为： Av=- Vds/Vgs (4) 将式⑷代入式⑵中，可得： 以下无正文 I仁Cgdx( 1+Av) dVgs/dt (5) 在转换(导通或关断)过程中，栅-源极的总等效电容Ceq为: lgate=l1+l2=(Cgd x (1+Av)+Cgs) x dVgs/