1、解释如下概念：PN结、空间电荷区、内建电场、内建电势...80.docxVIP

--------------------------------------------------------------- 最新资料推荐 ------------------------------------------------------ 【精品】 1 、解释如下概念： PN 结、空间电荷区、 内建电场、内建电势 ...80 1 1 、解释如下概念： PN 结、空间电荷区、内建电场、内建电势差、突变结、线性缓 变结。 答： PN 结 ： 在一块半导体上形成的 p p 型区和 n n 型区交界处。 空间电荷区 ： 离化的施主和受主带有固定的电荷，占据一定的区域。 内建电场 ： 空间电荷产生的电场。 内建电势差 ： 平衡 p p- -n n 结的空间电荷区两端间的电势差 V V D D ，称 为 p p- -n n 结的接触电势差或内建电势差。突变结 ： P P 型区中受主杂质浓度为 N N A A ，均匀分布； N N 型区中施主杂质浓度为 N N D D ，均匀分布；在交界面处，杂质浓度由 N N A A (P 型) ) 突变为 N N D D (N 型) ) ；具有这种杂质分布的 pn 结称为突变结。 线性缓变结： 1/10 扩散结中杂质的分布中，浓度梯度比较大的一类可以用前述的突 变结来描述；浓度梯度比较小的称为线性缓变结。 、推导 PN 结内建电势差 V D 的公式。 000 0( )( ) exp( )( )( ) exp( )exp( )( ) ( )( )( ) ( )exp( )F F CpCC CppE E xn x N E EqV xn x N kTkT kTE x E qV xqV xn x 热平衡下载流子浓度 0 0 0 0 0( )( ) exp( ) exp( )Tn Dn Tn p n pqV x qVn n x n 设 型一侧掺杂为 ， 型一侧为 ，设全部电离： ，3 、证明热平衡下的 PN 结，在波尔兹曼近似下，其空间电荷 区及电中性区中满足 np=n i 2 . 证明： 20 0 0 00 00 00 0)) (exp( )) (exp() ( ) ()) (exp( ) ()) (exp( ) 、 、 若 N N D D =5x10 15 cm - -3 3 ， N N A A =10 17 cm - -3 3 ，求室温下 Ge 突变 pn 结的 V V D D 。 解： 室温下，假设杂质全部电离，有： VVDD  = = kT/qln(N N D D N N A A /n i i 2 2 ) )  室 温下， Ge  的本征载流子浓度为： n n i  i = = 2.4x10 13 cm -  -3  3  VVDD  = = 0.026ln( 5x10 15 x10 17 /n i i 2 2 ) = 0.36V  5 5  、叙述 PN --------------------------------------------------------------- 最新资料推荐 ------------------------------------------------------ 具有整流特性的内在物理机理。 正向偏压下 ，正向电流密度随正向偏压呈指数关系， 迅速增大。 室 温 下 kT/q=0.026V ， 只 要 外 加 电 压 大 于 零 点 几 伏 ,exp(qV/kT)1 J=J s s exp(qV/kT) 反向偏压下 ， V0 ， 称为反向饱和电流，很小。 表明 pn 结 I I- -V V 特性不对称， 具有单向导电性。 单向导电性对 应的内部物理机制是： 正向 V V 增加，注入的非平衡少子增加扩散电流增加。 反向 V V 增加，少子的抽取不变，只是空间电荷区宽度略有增 加。 反向扩散电流不变。 6 6 、试分析小注入时，电子（空穴）在五个区域中的运动情 况（分析漂移于扩散的方向及相对大小） 。 答： 正偏下载流子电流的图像 P P 型电中性区 ： 几乎全部为空穴的漂移电流；由于少子浓度远小于多子浓度可以 认为这个电流完全由多子空穴携带。 电子扩散区 ： 空穴沿 x x 方向进入电子扩散区后，一部分与 N N 区注入进来的 电子不断地复合， 其携带的电流转化为电子扩散电流； 另一部分未 3/10 被复合的空穴继沿  x x  方向漂移，到达  - - x x TP  的空穴电流，通 过势垒区 ；  空穴扩散区： 若忽略势垒区中的载流子的产生－复合， 则可看成它全部到达了 x x TN 处，然后以扩散运动继续向前，在 N N 区中的空穴扩散区内 形成空穴扩散流。 在扩散过程