1月24日1#机可控硅击穿分析.docVIP

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2021-01-28 发布于河北
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1月24日1#机可控硅击穿分析.doc

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**电站1#机可控硅击穿故障分析故障情况：2015年1月24日#1机正常开机，起励后发电机保护差动动作，启动紧急停机。处理过程： 1、将发电机断路器、PT小车摇至试验位置。合上接地刀。打开发电机出口断路器及PT小车下部柜门，将发电机出口断路器及发电机PT柜下部三相PT一次保险拔出。用2500V摇表测得绝缘为0，经查是接地刀未分导致的，分开接地刀，测得发电机绝缘为400M/1.1G，绝缘合格。检查励磁变无异常情况。检查励磁功率柜时发现，B套功率柜快熔指示灯亮，检查发现B+快熔熔断，用万用表电阻档量的B+可控硅正负极电阻为0，可控硅击穿。将2#机B套功率柜A+可控硅拆至1#机，恢复措施后1#机开机做零起升压，经检查励磁功率柜等设备工作正常。三、故障时间： 1月24日21:27:21:855下发发电流程，21:29:43:518空转态，21:29:44:012灭磁开关合位动作,21:29:46:022纵差保护动作，21：29：46：028电气事故停机动作，21：29：46：108 事故配压阀动作，21：29：46：102灭磁开关分位动作，21：29：47机端电压大于85%额定动作，21：29：49：424机端电压大于85%额定复归。差动动作电流a：0.542，b：0.488，c：1.039，经检查发电机定子绝缘1.1G/400M，励磁功率柜B柜报快熔熔断，经检查励磁功率柜B柜B+可控硅快熔熔断，B+可控硅击穿。阻容吸收器在1#机检修时发现B三个电容其中两个电容失效，已更换，1#机做小电流试验时流形较为平滑。原因分析：可控硅击穿原因有，过电压、过电流，运行时间长引起可控硅性能变差等，根据击穿可硅来看，运行时间长可控硅性能变差，可控硅负极中间定位有压伤（2011年检修单位在检修时未安装好导致可控硅压伤），两种原因引起可控硅性能变差导致击穿。防范措施：1、冬修清扫可控硅时需向检修公司详细交待清楚可控硅拆装方法（装可控硅一定要将扭力板手调至30进行安装，固定可控硅散热片两个螺丝一定要平均受力。）。2、更换所有被压伤的可控硅。 2015-2-11