EUV 曝光技术整理.pdf

【名词解释】EUV 2013/03/13 EUV 是指波长为13.5nm 的远紫外光（Extreme Ultra-Violet ）。也 称为软X 线。利用远紫外光的EUV 曝光技术作为可使半导体进一步 微细化的新一代曝光技术而备受期待。 以前的半导体曝光技术是通过缩短所用光线的波长来提高曝光时的 分辨率，从而满足微细化需求。不过，近10 年来，曝光波长一直维 持在193nm 没有改变。其原因是，业界导入了在镜头与晶圆间充满 水的液浸曝光技术，以及反复曝光的二次图形曝光技术等，替代了 缩短波长的方法来提高分辨率。 1 大幅缩短曝光波长 EUV 曝光将曝光波长缩短至13.5nm，由此提高曝光时的分 辨率。（本图由《日经电子》根据International Technology Roadmapfor Semiconductors （ITRS）的资料制 作，照片由阿斯麦提供。） 然而，这些技术也越来越接近极限。最新的液浸曝光技术的分辨率 为38nm 左右，即使使用二次图形曝光技术，19nm 已是极限。继 续提高分辨率的话，就需要将曝光次数增加到3 次以上，这会使成 本升高。而使用波长仅为 13.5nm 的EUV 曝光技术时，一次曝光便 可轻松形成14nm 左右的图形。 不过，目前EUV 曝光技术的开发变得越来越慢。其主要原因在于， EUV 光源的输出功率目前仅为10～20W，还远远达不到量产所需要 的250W。这样下去的话，会给半导体的微细化发展速度造成巨大 影响。因此，从事EUV 曝光装置业务的阿斯麦公司（ASML ）于 2012 年10 月宣布收购全球最大的EUV 光源厂商西盟（Cymer ）， 以加快开发速度。阿斯麦的目标是2015 年使EUV 光源的输出功率 达到量产所需要的250W。（记者：木村雅秀，《日经电子》） 2