IGBT特性与驱动要点.docx

实验编号 实验指导书 实验项目： 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 特性与驱动 所属课程 : 电力电子技术基础 课程代码 : EE303 面向专业 : 电气工程 学院 (系 ): 电气工程系 实 验 室: 电气工程与自动化 代号 : 03010 2010年 5月 5日 一、实验目的： 1．熟悉 IGBT 主要参数与开关特性的测试方法。 2．掌握混合集成驱动电路 EXB840 的工作原理与调试方法。 二、实验内容： 1． IGBT 主要参数测试。 2． EXB840 性能测试。 3． IGBT 开关特性测试。 4．过流保护性能测试。 三、实验主要仪器设备： 1． MCL-07 电力电子实验箱中的 IGBT 与 PWM 波形发生器部分。 2．双踪示波器。 3．毫安表 4．电压表 5．电流表 6． MCL 系列教学实验台主控制屏 1 四、实验示意图： IGBT S1 R3 S2 +18V +5V 15 2 R1 R2 4 C1 9 18 19 7 1 14 6 VD1 10 6 EXB840 R4 11 VD2 R7 2 4 3 14 +5V + 3 R5 12 C2 5 9 17 13 + + 5 1 20 15 R6 16 PWM S1 +5V S V+ R1 R1 8 4 1 L1 R2 RP 7 2 555 3 1 R3 VD1 6 R2 3 2 1 5 R3 RP S2 2 4 C1 C2 2 五、实验有关原理及原始计算数据，所应用的公式： 绝缘栅极双极型晶体管是双极型电力晶体管和 MOSFET的复合。IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写。电力晶体管饱和压降低， 载流密度大， 但驱动电流较大。 MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。 IGBT 综合了以上两种器件的优 点，驱动功率小而饱和压降低。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道， 给 PNP晶体管提供基极电流， 使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方 法和 MOSFET基本相同，只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当 MOSFET的沟道形成后，从 P+基极注入到 N一层的空穴（少子） ，对 N 一层进行电导调制， 减 小 N 一层的电阻，使 IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压 Ugs为参变量时， 漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。 输出漏极电流比受栅源电压 Ugs 的控制， Ugs 越高， Id 越大。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流 Id 与栅源电压 Ugs 之间的关系曲线。它与 MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压 Ugs(th) 时， IGBT 处于关断状态。在 IGBT 导通 后的大部分漏极电流范围内， Id 与 Ugs 呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为 15V 左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。 IGBT 处于导通态时，由于它的 PNP晶体管为宽基区晶体管， 所以其 B 值极低。 耐压 1000V 的 IGBT 通态压降为 2～ 3V。IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。 . 3 六、实验数据记录： 1． IGBT 主要参数测试 （ 1）开启阀值电压 VGS（ th）测试 表 4—1 I D（ mA ） 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 2.0 Vgs （ V） 4.96 5.05 5.11 5.15 5.19 5.21 5.26 （ 2）跨导 gFS 测试 表 4—2 I D（ mA ） 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 2.0 Vgs （ V） 4.97 5.06 5.12 5.16 5.19 5.22 5.27 （ 3）导通电阻 RDS 测试 表 4—3 I D（ mA ） 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 2.0 V DS（V） 15.0 14.99 14.98 14.97 14.97 14.96 14.94 2． EXB840性能测试 （ 1）输入输出延时时间测试 ton= 0.75 μs ， toff =1.5μs （ 2）保护输出部分光耦延时时间测试 .延时时间 t=31.6μs 3）过流慢速关断时间测试慢速关断时间 t=46.5 μs 4）关断时的负栅压测试 关断时的负栅压值 U=-4.0V 5）过流阀值电压测试 . 过流保护阀值电压值 U=8.2V 3．开关特性测试 （ 1）电阻负载时开