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补充题的构成答功率晶体管的由四部分组成集电极最大允许电流基极开路集电极发射极之间的最高允许电压晶体管集电极最大允许功率损耗二次击穿电流水平功率场效应管的由三部分组成漏源击穿电压等功耗线最大允许漏极电流图中晶体管的可在间选择电源电压基极输入电压如果和求过驱动系数时的值强制值晶体管功率损耗截止区放大区饱和区解取时强制电流增益电路总电流为用两个管并联分担一个管子的另一个是如用串联源极电阻及来均流求每个晶体管电流和两管漏极电流之差解接地设时漏极电流差漏极电流差补充题的构成答的正偏安全工作区与场效应晶体管
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补充题：SOA的构成？
答：功率晶体管的SOA由四部分组成。
1) 集电极最大允许电流IeM
2) 基极开路，集电极—发射极之间的最高允许电压U(BR)ceo
3) 晶体管集电极最大允许功率损耗PCM
4) 二次击穿电流水平IS/B
功率场效应管的SOA由三部分组成
1) 漏—源击穿电压U(BR)DS
2) 等功耗线PDM
3) 最大允许漏极电流IDM
8-5图8-5中晶体管的β可在8~40间选择。RC=11Ω，电源电压EC=200V，基极输入电压UB=
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