手机定位星控技术模拟电子技术教学指导.doc

《模拟电子技术》教学指导 模拟电了技术是理工科电了信息工稈专业必修的专业基础课，该课稈不仅具有H身 的理论体系且是一门实践性很强的课程。木课程的任务是使学生获得的模拟电了技术基木 理论、基木知识和技能，培养学生分析问题和解决问题的能力，为学习自动控制系统、微型 计算机原理等课程，以及电了技术及电路在专业屮的应川打好基础。 第1章常用半导体器件 【本章教学目的和要求】 基木要求：了解半导体的基础知识，通过讲述管了的内部结构和载流了的运动，使学生 更好地理解管子的外部特性，了解选用器件的原则。掌握半导体二极管、晶体管和场效应管 的工作原理、特性1111线和主要参数。 重点：从使用的角度出发掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性和主要参数。 难点：半导体二极管、三极管及场效应管的工作原理。 【教学内容】 1.1半导体基础知识 一、 导体、绝缘体和半导体 导体：铜、铁、铝等具有良好导电能力的物质。 主要特点：原子核最外层有可以白由移动的白由电子。 绝缘体：没有导电能力的物质。如：纸、木材等。 半导体：导电能力介于导体和绝缘体Z间。典型的半导体材料有硅和楮。 主要特点：原了核最外层有四个价电了，原了核对其束缚力较强，常温下不能自 由移动。 二、 本征半导体及其导电性 木征半导体是指完全纯净的具有晶体结构的半导体。木征半导体在环境温度升高或受 到光照时产生木征激发，形成自由电了和空穴。电了带负电，空穴带正电。自由电了和空穴 都能导电，称为载流了。本征激发产生的自由电了和空穴成对出现，数量相等，数量的多少 取决于环境温度的高低，所以半导体的导电性能极易受外界因素的影响。 三、 杂质半导体 N型半导体：在硅（餡）屮掺入5价元素（磷、神等）。H由电子为多数载流了， 而空穴为少数载流了，主要靠自由电了导电。 P型半导体：在硅（错）中掺入3价元素（硼、锥I等）。空穴为多数载流了，而自 由电了为少数载流了，主要靠空穴导电。 注意：N型半导体和P型半导体对外均不显电性。 四、PN结 PN结的形成 P型半导体和N型半导体接触后，存在电了与空穴的浓度差，多数载流了扩散逐渐加宽 空间电荷层，形成逐渐增强并阻碍多了扩散、阻碍空间电荷层加宽的内电场。一?者最终达到 图1.1.10 PN结的伏安特性曲线 1.2半导体二极管 一、 二极管的结构和类型 将一个PN结加上电极引线、管壳密封即制成一个二极管。 类型：分为点接触型和血接触型两种。前者T作频率高、电流小；后者工作频率低、电 流较大。 二、 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性是指二极管两端的电压与通过二极管的电流Z间的关系曲线。 （1） 正向特性：要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于死区电压，硅管：约0.5V； 馅管：约0.1V。二极管正向导通后，其正向压降基本不变，硅管：约0.7V；铠管：约0.3V。 （2） 反向特性：二极管外加反向电压时，产生很小的反向电流，反向电流的大小易受 外界因素的影响。当反向电圧大于某一数值后，二极管被反向击穿，易损坏。 三、 二极管的主要参数 二极管的主要参数有：最大報流电流/珈、最高反向工作电压UrM、最大反向电流/#、 最高工作频率/m。 二极管可应用于整流、检波、钳位、限幅、开关以及元件保护等各种电路。 四、 稳压二极管 稳压二极管是一种用特殊工艺制成的血接触型硅二极管，杂质浓度较人，空间电荷区密 度大，容易形成强电场。它与一般二极管的区别是：英反向击穿可逆。 稳压二极管的稳压性能：在反向击穿状态下，流过管了的电流在一定范围内变化时, 管了两端的电压变化很小，利用这一特性可实现稳压。故稳压二极管的正常工作状态是反向 击穿状态。 稳压二极管的主要参数有：稳定电压乞、稳定电流心、额定功耗号m、动态电阻 q等。稳压二极管主要应用于稳压电源和限幅电路屮。 1.3双极型晶体管 一、 晶体管的结构和类型 晶体管有发射极e、基极b、集电极c三个电极，发射结和集电结两个PN结，发射区、 集电区、基区三个区。 按结构不同，分NPN型和PNP型两种类型。 按材料不同，可分为铭管和硅管两大类。铭管多为NPN型，错管多为PNP型。 按工作频率，可分为高频管和低频管。 按功率，可分为大功率管，小功率管和屮功率管。 二、 晶体管电流放大作用 晶体管电流放大作用是指以较小的基极电流控制获得较大的集电极电流。 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 内部载流了的传输过稈：发射区向基区发射载流了；集电区收集载流了；基区传送和控 制载流-了的扩散与复合。 三、 晶体管的共射特性曲线 输入特性曲线 输入特性Ml线是指晶体管的集、射极问电压如e —定时，基极电流也与基、射极问电压 be之间的关系曲线。一般硅管死区电压约为0.5V,