数控电源的设计.docx

引言 电镀，即采用电化学的方法使金属离子还原为金属，并在金属或非金属制品表面形成 符合要求的平滑、致密的金展覆盖层。电镀后的镀层性能在很大程度上取代了原来基体的 性能，起装饰和防护作用，随着科学技术与生产的发展，电镀工艺已遍布各个领域。电流 通过镀槽是电镀的必要条件，镀件上的金属就是在电流流过电镀时引起电化学反映而形成 的。在电镀屮产生电流的装置，称之为电镀电源。 电镀电源的发展主要经历了四个阶段：直流电机阶段；硅整流阶段；可控硅阶段；电 镀的发展经历了 4个发展阶段：直流电机阶段、硅整流阶段、可控硅阶段、晶体管阶段。 脉冲电镀是一项新的电镀技术。它的特点是由脉冲电流对电极过程动力学的特效影响所决 定的，其屮最主要的是对传质过程的影响。 所谓数字脉冲电源，就是采用微处理器等数字电路对脉冲电源屮的直流斩波进行控 制，并实现数字显示与数字调节的一种脉冲电源。它是当今最为现在金的电镀电源，也是 电镀电源发展的方向。 随着现代社会的发展，数控电源技术已经用到了各种领域，首先我们先了解一下数控 技术的发展情况，人们对电镀质量的要求越來越高。但H前电镀技术仍存在某些缺陷，诸 如加工吋间长、镀层厚度均匀性差、镀层容易出现缺陷以及存在较大内应力等。这些缺陷 大大限制了电镀技术的应用和发展，不能适应当前的生产，尤其是精密制造的需要。数控 电源技术是对电解电源实现大电流、高频率、大工作比脉冲输出、环保、节电节时高效的 技术。 1.绪论 1.1研究的目的 电镀技术是军用电子元器件设计、制造工艺、封装测试环节屮的重要i环，是军用 电子冗器件的重要组成部分和支撑，是保证和加强军用电子元器件、纽件及系统可靠性和 整体性能指标的关键，是武器装备小型化、多功能化、轻员化和高可靠性的重要技术z—。 武器装备的快速发展，对电子封装技术提出了新的、更高的耍求。高质量的表而处理技术 成为军用电子元器件设计、制造、封装技术发展的难点和制高点。 长期以来，由于在电镀行业屮普遍使用直流电镀电源，人们往往把主要精力用于改变 直流电镀的镀液成分、采用化学添加剂等方式来改善镀层性能。 国际丄从20世纪60年代屮期把脉冲电源引入电镀领域，发展非常迅速。 脉冲电镀实际上是一种通断直流电镀。脉冲电镀过程屮，当电流导通时，脉冲（峰值） 电流相当于普通直流电流的几倍甚至几十倍，正是这个瞬时高电流密度使金属离子在极高 的过电位下还原，从而使沉积层晶粒变细;半电流关断吋，阴极区附近放电离子又恢复到初 始浓度，浓差极化消除，这利于下一个脉冲周期继续使用高的脉冲（峰值）电流密度，同吋 关断期内还伴有对沉积层有利的重结晶、吸脱附等现象。这样的过程同期性地贯穿整个电 镀过程的始末，其屮所包含的机理构成了脉冲电镀的最基本原理。 实践证明，脉冲电镀在细化结晶、改善镀层物理化学性能、节约贵金属等方面比传统 的直流电镀有着不可比拟的优越性。 随着电镀理论和电源技术的发展，将反向脉冲乂引入电镀，也就是说，在脉冲电镀止 向脉冲期间，适半地引入少量反向脉冲，这样可以将镀层表而上的杂质以及结合力不太强 的离子拉回，从血提高了镀层的致密性。 20世纪80年代末90年代初双脉冲电镀电源在我国开始有所应用以來，脉冲电镀技术 即得到了飞速发展。冃前国内已有能实现单一波形，正反向周期换向的双脉冲电源。我所 曾于90年代屮期配置了这种双脉冲电源。 由于在电镀过程屮，在不同的阶段需要不同的电镀参数，例如在电镀的初始阶段是不 允许有反向脉冲的，因为此时的反向脉冲会使镀件上的金屈离子进入到镀液而污染了电镀 液，所以只有等工件表面镀了一层以后，方可引入反向脉冲。对于双脉冲电源来说，只能 等镀了一段吋问后，再重新手动修改电镀参数，这样势必造成操作上的烦琐和失误，同吋 因为过多的人为因素的介入，使得重复性变得很差。 鉴于以上原因，受国外程控电镀电源设计思想的启发，结合双脉冲方波电源制作经 验，为了更好更宽地适应不同电镀工艺对多参数脉冲组合电源的需求，我们研制了这套程 序控制多脉冲方波（后略）电镀电源。该程序控制多脉冲电镀电源可以将多组不同参数的脉 冲方波（包括正、反向脉冲）进行任怠组合，且脉宽、频率等参数调节范I韦I宽，使用灵活方 便，很好地满足了多种电镀工艺的需求。 1.2国内外脉冲电镀电源研究现状 1.2.1脉冲电镀电源国内发展概况 由于脉冲电镀对改善镀层性能有特殊的功能，其经济效益尤其在节约贵余属方面非常 显著。70年代后期，我国部分高等院校、研究所、生产厂己研制并投产儿种类型的脉冲电 镀电源，其情况大致可分为以下三个阶段 第一阶段:提供试验室进行脉冲电镀工艺研究和脉冲电镀机理探讨用的小型脉冲电镀 电源。如峰值电流为10A多波形脉冲电镀电源及峰值电流为20A,50A, 100A方波脉冲电 源。通过工艺研究和机理初步探讨，脉冲电镀在电