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PCB双面板 多层板生产工艺流程说明 开料磨边 单面板生产使用的原质料是仅一面附有铜箔的覆铜板，本项目使用的板料为FR-4环氧玻璃布板，厚为1.6mm，附有铜箔，双面铜箔厚度为17.5μm。在生产前先将购买的大张覆铜板分割成小尺寸进行加工。为了避免边毛刺影响品质，裁切后进行磨边、圆角处理。 该工序产生废板材边角料及粉尘。 磨板 采用物理方法对基板进行刷磨，以去除基板上的污物、增加板面的粗糙度。控制条件为：浸酸时间6-8s、H2SO42.5%、水洗5-8s、尼龙刷500-800目，磨板速度1.2-1.5m/min。 磨板过程有硫酸雾废气、酸性含铜（粉）废水产生。 沉铜 前处理 前处理主要包括除胶渣、预中和、中和、溶胀、除油、酸洗、微蚀等工序。 除胶渣是利用高锰酸钾的强氧化性与树脂反应去除胶渣，除胶渣溶液是高锰酸钾和氢氧化钠的混合液。控制条件：KMnO440-60g/L、NaOH40-50g/L、温度70-80℃。除胶渣过程会有碱性有机废水产生。 预中和、中和是以硫酸、双氧水溶液进行中和。预中和控制条件：H2SO410-20ml/L、H2O25-15ml/L、室温；中和控制条件：H2SO410-30ml/L、H2O210-20ml/L、温度20-25℃。这一过程会有酸性含铜废水及废液产生。 除油以除油剂去除线路板表面的油污，调整孔壁电荷使其电性为正，利于亲水使得板面与药液接触良好。控制条件：一般除油剂浓度8-12%，温度60-70℃、时间4min。除油工序会有酸性有机废水及废液产生。 酸洗主要是清洁板件，防止带入预浸过多Cu2+。控制条件：硫酸浓度60-80mL/L。 微蚀是采用硫酸、过硫酸钠等轻微溶蚀铜箔基板表面以增加粗糙度，去除铜箔基板表面所带的电荷，使后续活化过程时与触媒有较好的密着性。该工序有硫酸雾、酸性蚀刻废液，后道水洗工序有酸性含铜废水和一般清洗废水产生。控制硫酸15-25mL/L、Cu2+25g/L，微蚀速率0.8-1.6μm，温度25-30℃，时间4min。 无论采用机械研磨法还是化学前处理法，处理后都应立即烘干。 预浸、活化 预浸处理使孔壁表面易于吸附活化胶体，同时减少活化缸中污染物（水及其他离子）的带入。控制条件：温度28-32℃，预浸盐250g/L，Cu2+1.5g/L，时间2min。 活化则是将板材浸于含氯化亚锡及氯化钯的酸性溶液中，使触媒（钯）被还原沉积于基板通孔及表面上，并溶解去除过量的胶状锡，使钯完全地裸露出来，作为化学沉铜的底材。控制条件：温度38-45℃，预浸盐240g/L，Pd强度55-75%，Cu2+2g/L，时间7min。 该工序有活化废液、酸性含铜废水产生。 速化 在基材表面吸附着以钯粒子为核心，在钯核的周围具有碱式锡酸盐的胶体化合物。在沉铜前应将碱式锡酸盐去除，使活性的钯晶核充分暴露出来，从而使钯晶核具有非常强而均匀的活性。经过速化处理再进行沉铜，不但提高了胶体钯的活性，而且也可以显著提高沉镀铜层与基材间的结合强度。控制条件：温度25℃，时间6min。 沉铜 沉铜是将上述导体化处理后的基板浸置于化学铜槽液中进行铜镜反应，槽液中的二价铜离子即被还原成金属铜，并沉积于基板通孔及表面。化学铜槽液的主要成分有硫酸铜、甲醛、氢氧化钠以及EDTA等，其反应式如下： CuSO4 + 2HCHO + 4NaOH Cu + 2HCO2Na + H2 + 2H2O + Na2SO4 控制条件：甲醛3-5g/L、氢氧化钠(pH8.5-11.5)、EDTA25-35g/L、温度32℃。 该工序有甲醛废气和镀铜废渣产生，后道水洗工序有含铜络合废水产生。 电镀铜 电镀铜是以铜球作阳极，硫酸铜和硫酸作电解液，电镀不仅使通孔内的铜层加厚，同时也可使热压在外表面的铜箔加厚。该工序有硫酸雾和镀铜废液产生，后道水洗工序有酸性含铜废水和一般清洗废水产生。控制条件：pH8.0-8.8，铜22-38g/L，电流密度1-8A/dm2，时间10min，温度55℃。 镀铜工序有含铜废水、电镀废渣产生。 线路压膜 生产印制路线板的第二步是将原始布线图转印到基板的铜材表面上，布线图可所以感光负片，也可所以感光正片儿。感光底片由透明的聚醋生产工艺流程图图例衬底构成，厚为7mil (174μm) ，其中包含4 -8μm 厚的卤化银感光乳液，能盖住波长在480- 550nm 以下的光线，因此，这类底片的显影只能在红光下进行。需印制的图象在底片上形成后，准备网布并在板上进行丝网印制。网印色剂覆盖印制路线板上最终所需的全数导电区域，在后续蚀刻过程当中充当阻剂。施用正片儿型阻膜时，感光阻剂可在显影液中溶解，需要正片儿情势的路线图。负片型阻膜遇紫外线溶解而不溶于显影液，其布线图为负片情势。镀模板暴露在紫外线中，阻剂显影，被阻剂遮盖的板上应保留