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第三章 半导体存贮器 主要内容 第1节 概述 第2节 典型ROM、RAM芯片 第3节 存贮器与CPU的连接 第4节 高速缓存 3.1 概述 一、存贮器的分级结构 对存贮器的要求主要体现在三方面 更大容量 更快速度 更便宜 实际中往往三者是矛盾的 处理器 CPU 芯片内 寄存器 联机 Cache 存储 主机内 主存 SRAM、DRAM 联机 外围 文件 辅存（磁盘存储器等） 设备 大容量存储器 可卸 光盘、磁带等 存储 主存与辅存 通过软硬件结合，形成主存和辅存统一的存储器系统。从 而较好地解决存储器大容量与其低成本的矛盾。 高速缓存储存器(Cache)与主存 完全由硬件实现“Cache-主存”地址变换和调度，解决了存 储速度与成本之间的矛盾。 理想是：以最便宜的代价得到高速、大容量存贮 二、存贮器的分类 RAM （随机访问存贮器）—— SRAM、DRAM ROM （只读存贮器）—— 掩膜、可编程（PROM、EPROM （FLASH）） 挥发性、易失性 RAM 一）静态RAM 典型的片子如Inlel 6116 （2k*8位） １）用由6管构成的触发器作为基本存储电路 ２）集成度高于双极型但低于动态RAM ３）不需要刷新，省去刷新电路 ４）功耗比双极型低，但比动态RAM高 二）动态RAM 典型的片子如Inlel 2164 （64K*1位） １）基本存储电路用目管电路 ２）集成度很高 ３）比静态RAM的功耗更低 ４）因动态存储器靠电容来存储信息，由于总是存在有泄漏电流，故要求刷 新（再生）。典型的是要求每隔2ms刷新一遍。 ROM 一）掩摸ROM 早期的ROM 由生产厂按固定的线路制造的制造后就只能读 不能改变 二）可编程序的只读存储器PROM （Programnable ROM）可按用户需要写 ROM由用户对它编程但用户也只能写一次 三）可擦去可编程的ROM （Erasable PROM）当用户用的内容不对 或需重 新写别的内容时 用EPROM可多次使用 四）电可擦写可编程ROM （E2PROM 三、存贮器指标 1. 容量 字长 X 字数 2. 最大存取时间 3. 可靠性 4. 其他——功耗、集成度 例：若存储系统的存储容量为4096个字，即按字长16位计算 存储容量＝4096×16 bit 四、存贮器基本结构 存贮的理解 D Q T