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模拟电子技术基础总结与模拟电子技术基础章节总结汇编 模拟电子技术基础总结1= 模拟电子技术基础总结 1= vbe | 5mV时，BJT的电压放大才是工程意义上的线性放大。? BJT混合小信号模 型是在共射组态下推导出的一种物理模型（图2-28），模型中有七个参数：基本参 数:基区体电阻rbb,由厂家提供、髙频管的rbb比低频管小rbeVTIEre基区复合电 阻rbe：估算式：，re 发射结交流电阻跨导gm：估算gmIC/VT38. 5IC （ms）, rbe, gm关系：rbegm基调效应参数rce：估算rceVA/IC, VA 厄利电压rbc：估算 rbcrce300Klgmre以上参数满足：rbcrcerbe髙频参数：集电结电容Cbc：由厂家给 出；Cbegm2fTCbc发射结电容Cbe：估算* ?最常用的BJT模型是低频简化模型（1） 电压控制电流源（icgmvbe）模型（图2-23） （2）电流控制电流源（icib）模型（图2-24,常用），其中rberbbrbe5 篇二：模电总结复习-模拟电子技术基础。 模电复习资料第一章半导体二极管一 ?半导体的基础知识1.半导体一导电能力介 于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）。 2?特性一光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体一纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子一带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 杂质半导体一在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的 掺杂特性。*p型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是 电子）。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空 穴）。 杂质半导体的特性*载流子的浓度一多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温 度有关。*体电阻一通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型一通过改变掺杂 浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 PN结*PN结的接触电位差--硅材料约为0.6?0?8V,错材料约为0.2?0?3V。*PN 结的单向导电性一正偏导通，反偏截止。 PN结的伏安特性二?半导体二极管*单向导电性--正向导通，反向截止。*二极 管伏安特性一同PN结。*正向导通压降一硅管0.6?0?7V,猪管0?2?0?3V。*死区电 压一硅管0. 5V,错管0. lVo 分析方法一将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若V阳V阴（正偏）， 二极管导通（短路）；若V阳V阴（反偏），二极管截止（开路）o 1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。2）等效电路法直流 等效电路法*总的解题手段一将二极管断开，分析二极管两端电位的髙低:若V阳V阴 （正偏），二极管导通（短路）；若V阳V阴（反偏），二极管截止（开路）。*三种模型微变 等效电路法三?稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性--正常工作时处在PN结 的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第二章三极管及其基本放大电路一?三极管的结构、类型及特点1.类型一分为 NPN和PNP两种。 2?特点一基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很髙，与基区接触面积较 小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配*共 发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件式子3.共射电路的特性曲线*输入特 性曲线一同二极管。称为穿透电流。*输出特性曲线（饱和管压降，用UCES表示放大 区一发射结正偏，集电结反偏。截止区一发射结反偏，集电结反偏。 4?温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以及 三?低频小信号等效模型(简化)hie—输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe 表示；hfe--输出端交流短路时的正向电流传输比，常用P表示；四?基本放大电路 组成及其原则l.VT、VCC、Rb、Rc、Cl、C2的作用。 2?组成原则一能放大、不失真、能传输。五?放大电路的图解分析法1?直流通路 与静态分析*概念一直流电流通的回路。*画法一电容视为开路。*作用一确定静态工 作点*直流负载线一由VCC二ICRC+UCE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1) 改变Rb： Q点将沿直流负载线上下移动。 改变Rc： Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。 交流通路与动态分析*概念一交流电流流通的回路*画法一电容视为短路，理想 直流电压源视为短路。*作用--分析信号被放大的过程。*交流负载线一连接Q点和 VCC点 VCC二UCEQ+ICQRL的直线。 静态工作点与非线性失真(1)截止失真*产生原因--Q点设置过低*失真现象- -NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法一减小Rb,提高Q。