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电力电子技术论文发表 电力电子技术基本研究 【摘要】在上世纪各项科学技术及社会需求的带动下，电力电子技术出现并得到了很大的发展。它主要是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，即应用于电力领域的电子技术。本文基于作者自身的工作经验及相关知识了解，对电力电子技术进行了部分基本分析，并就其在各领域当中的应用提出了部分探讨性意见。 【关键词】电力电子;器件;应用 一、引言 在上世纪各项科学技术及社会需求的带动下，电力电子技术出现并得到了很大的发展，逐渐它在电控装置、电气自动化系统当中的应用越来越广。如今，各式各样的自关断器件大量的出现，使性能得到了很大程度的提高，同时容量方面也有很大的扩展。以PWM控制为代表的、采用数字控制的电力电子装置性能日趋完替。目前，电力电子技术已经被应用于各个领域当中，从电力到工业再到交通，无不有其身影，且目前开始迅速想家电、通信以及节能方面开始发展。 二、其他学科与电力电子技术之间的关系分析 一电子学与电力电子技术之间的关系 与传统的电子器件制造工艺相比，电力电子器件的制造工艺、技术与其没有太多的差别，两者基本相同。如今的电力电子器件生产、制造一般都为集成电路，应用了微电子制造相关方面的技术，许多设备都和微电子器件制造设备通用，说明二者同根同源。 二电气工程与电力电子技术之间的关系 电力电子技术广泛用于电气工程中的高压直流输电、静止无功补偿、电力机车牵引、交直流电力传动电解、电镀、电加热、高性能交直流电源等领域。通常把电力电子技术归属为电气工程学科，并且电力电子技术是电气工程学科中最为活跃的一个分支，其不断进步给电气工程的现代化以巨大的推动力。 三控制理论与电力电子技术之间的关系 控制理论广泛用于电力电子系统中，使电力电子装置和系统的性能满足各种需求。电力电子技术可看成“弱电控制强电”的技术，是“弱电和强电的接口”，控制理论是实现该接口的强有力纽带。控制理论和自动化技术密不可分，而电力电子装置是自动化技术的基础元件和重要支撑技术。 三、电力电子技术主要器件分析 电力电子器件既是电力电子技术的基础，也是电力电子技术发展的强大动力。电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用，因此，电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。至今电力电子器件发展可分为三个阶段，电力电子技术的发展也相应地分成三大步。 一不可控器件 1955年美国通用电气公司研发了第一个电力电子器件一一硅整流管SR。它的问世使变流技术从机械整流、汞弧整流进入电力半导体整流。1957年出现了硅晶闸管SCR，接着晶闸管的派生器件：逆导晶闸管KN、双向晶闸管KS、快速晶闸管KK、门极辅助关断晶闸管GATT、非对称晶闸管ASCR等相继问世，从而使电力电子技术不仅具有整流功能交流→直流，而且具有逆变直流→交流、斩波直流→直流、变频交流→交流等功能。在这一发展阶段的电力电子器件，基本上都是分立器件或几个分立器件的组合，它们能被控制导通，而不能被直接控制关断，要靠“电流过零”或强迫换流才能关断，这就形成了以晶闸管及其派生器件为代表的第一代电力电子器件。 二半可控器件 半可控器件的代表是晶闸管，它在1956年由贝尔实验室发明，并在1958年由GE公司组织生产，称为硅可控整流器Silicon-ControlledRectifie或SCR，中文简称晶闸管。晶闸管是一个四层三端结构，三个端子分别为发射极、集电极和门极，它的导通条件除集电极与发射极问加正向电压外，还需在门极加正向脉冲，否则不能由断态转变为通态。另外，晶闸管开通后没有切断电流的能力，要靠电流自行过零，才能恢复阻断状态。因而，这是半可控器件，即只能控制开通而不能控制阻断。 80年代发展起来的半可控电力电子器件，主要有巨型晶体管GTR、门极可关断晶闸管GTO、绝缘栅双极晶体管IGBT、单极场控晶体管电力MOSFET、静电感应晶体管SIT、静电感应晶闸管SITH和MOS控制晶闸管MCT等，形成了第二代电力电子器件。在结构上，它们具有功率集成器件的特点，在功能上，它们具有通过电流信号或电场控制器件导通或关断的特点。 三全可控器件 全控型器件主要是功率晶体管GTR，功率场效应管Power-MOSFET，门极可关断晶闸管。GTR是一种NPN开关器件，可用基极电流开关集电极主电流，即具有自关断能力，它还具有开关时间短、通态电压低、开关损耗小、高频性能好、驱动简单、成本低廉等优点。因此它正在中小功率交流调速、逆变及斩波等方面取代着晶闸管的地位。GT可工作在10kHz，广泛应用于500kW以下的感应电机变频调速、不间断电源以及脉冲电源