清华大学《模拟电子技术基础》练习习题解答及答案.docx

第一章 半导体基础知识 自测题 一、（ 1）√ （ 2）× （3）√ （ 4）× （ 5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3） C （4）B （5）A C 三、 UO1≈ UO2＝ 0 UO3≈－ UO4≈ 2V UO5≈ UO6≈－ 2V 四、 UO1＝ 6V UO2＝ 5V 五、根据 PCM＝200mW 可得： UCE＝ 40V 时 IC＝ 5mA， UCE＝30V 时 IC≈， UCE＝ 20V 时 IC 10mA ， UCE＝10V 时 IC＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、 1、 I B VBB U BE 26μA Rb I C I B 2.6mA U CE VCC ICRC 2V UO＝ UCE＝ 2V。 2、临界饱和时 UCES＝ UBE＝，所以 VCC U CES 2.86mA I C Rc I C 28.6μA I B V BB U BE 45.4k Rb I B 七、 T1 ：恒流区； T2：夹断区； T3：可变电阻区。 习题 1）A C （2）A （3）C （4）A 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为时管子会因电流过大而烧坏。 ui 和 uo 的波形如图所示。 ui 和 uo 的波形如图所示。 u i /V 5 3 O -3 uO /V 3.7 O  u i /V 10 O t u o /V 10 O t t t -3.7 uo 的波形如图所示。 ID＝（ V－ UD） / R＝， rD≈ UT/ID＝ 10Ω， Id＝ Ui/ rD≈ 1mA。 （ 1）两只稳压管串联时可得、 、和 14V 等四种稳压值。 （ 2）两只稳压管并联时可得和 6V 等两种稳压值。 IZM＝ PZM/UZ＝ 25mA， R＝ UZ/ IDZ＝～Ω。 （ 1）当 UI＝ 10V 时，若 UO＝ UZ＝ 6V，则稳压管的电流为 4mA，小于其最小稳定电流， 所以稳压管未击穿。故 U O RL U I 3.33V RL R 当 U ＝ 15V 时，由于上述同样的原因， U ＝5V。 I O u I1 /V 3 0.3 O  t uI2 /V 3 0.3 O t u O /V 3.7 1 O  t 当 UI＝ 35V 时， UO＝ UZ＝ 5V。 （2） IDZ (U I U Z ) R 29mA ＞ I ＝ 25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 ZM （1） S 闭合。 （ 2） Rmin (V U D ) I Dm ax 233 ， Rmax (V U D ) I Dmin 700 。 波形如图所示。 u I /V 6 3 0 u O1 /V 3 0 u O2 /V 3 0  t t t 60℃时 ICBO≈ 32μ A。 选用β＝ 100、 ICBO＝ 10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.01mA 5mA (a) (b) 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表 管号 T1 T2 T3 T4 T5 T6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料 Si Si Si Ge Ge Ge 当 VBB＝0 时， T 截止， uO＝ 12V。当 VBB＝ 1V 时， T 处于放大状态。因为 VBB U BEQ ， ， I BQ I BQ 3mA u O VCC ICQRC 9V Rb 当 VBB＝ 3V 时， T 处于饱和状态。因为 I BQ VBB U BEQ 160μ A ，I CQ I BQ 8mA， uO VCC I CQRC＜U BE Rb 取 U ＝ U ，若管子饱和，则 CESBE VCCU BE VCCU BE ， Rb RC，所以 Rb 100管子饱和。 Rb RC RC 当 u ＝ 0 时，晶体管截止，稳压管击穿， u ＝－ U ＝－ 5V。 I O Z 当 uI＝－ 5V 时，晶体管饱和， u O＝。因为 I B uI U BE 480μA Rb I C I B 24mA U EC VCC I C RC＜VCC （ a）可能 （ b）可能 （ c）不能 （ d）不能， T 会损坏。 （ e）可能 根据方程 i D uGS ) 2 I DSS (1 U GS(th) 逐点求出确定的 uGS下的 iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上 uGD＝UGS（ off） 的点连接起来，便为予夹断线。 过 u 为某一确定值（如 15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的 i D 值；建立 DS iD＝f （ uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点