模拟电子电路基础答案第四章答案.pdf

DS GS T 简述耗尽型和增强型 MOS场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（ V >0V，V >V ）， 画出 P 沟道增强型 MOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道， 连通了源区和漏区， 也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压 VGS 产生 沟道。 随着 SG逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时， V 栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的 P 型区”，它连接源区和 漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压 VDS ，那么空穴就会沿着新的 P 型区定向地从 源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为 i 。当 v 一定，而 v 持续增 D SG SD 大时，则相应的 v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至 v V ，沟道预夹断，进入 DG DG t 饱和区。电流 i 不再随 v 的变化而变化，而是一个恒定值。 D SD 考虑一个 N 沟道 MOSFET，其 2 ， t ?=?1V，以及 / ?=?10 。求下列情况下的 k =?50 μA/V V W L n 漏极电流： （1 ）VGS?=?5V 且 VDS?=?1V； （2 ） GS?=?2V 且 DS?=?； V V GS? ? DS? ? （3 ）V = 且 V = ； （4 ）VGS?=?VDS?=?5V。 (1) 根据条件 v …V ， v v V ，该场效应管工作在变阻区。 GS t DS GS t W 1 2 i k v V v v = D n GS t DS DS L 2 (2) 根据条件 v …V ， vDS vGS Vt ，该场效应管工作在饱和区。 GS t 1 W 2 iD kn vGS Vt = 2 L (3) 根据条件 vGS Vt ，该场效应管工作在截止区， iD 0 (4) 根据条件 v