NandFlash详述(绝对经典)(同名21545).docx

NandFlash 详述 硬件特性： 【Flash 的硬件实现机制】 Flash 全名叫做 Flash Memory ，属于非易失性存储设备 (Non-volatile Memory Device) ，与此相对应 的是易失性存储设备 (Volatile Memory Device) 。这类设备，除了 Flash ，还有其他比较常见的如硬盘， ROM 等， 与此相对的，易失性就是断电了， 数据就丢失了， 比如大家常用的内存， 不论是以前的 SDRAM ，DDR SDRAM ，还是现在的 DDR2 ，DDR3 等，都是断电后，数据就没了。 Flash 的内部存储是 MOSFET ，里面有个悬浮门 (Floating Gate)，是真正存储数据的单元。 金属 - 氧化层 - 半导体 - 场效晶体管 ，简称 金氧半场效晶体管 （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET ）是一种可以广泛使用在模拟 电路与数字电路的场效晶体管 （field-effect transistor ）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为 n-type 与 p-type 的 MOSFET， 通常又称为 NMOSFET与 PMOSFET，其他简称尚包括 NMOS FET、PMOS FET、 nMOSFET、pMOSFET等。 在 Flash 之前，紫外线可擦除 (uv-erasable)的 EPROM ，就已经采用用 Floating Gate 存储数据这一技术了。 图 1. 典型的 Flash 内存单元的物理结构 数据在 Flash 内存单元中是的。 存储电荷的多少，取决于图中的外部门（ external gate）所被施加的电压 ，其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。 数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值 Vth 来表示。 【SLC 和 MLC 的实现机制】 Nand Flash 按照内部存储数据单元的电压的不同层次，也就是 单个内存单元中，是存储 1 位数据，还 是多位数据 ，可以分为 SLC 和 MLC ： 1. SLC ，Single Level Cell: 单个存储单元，只存储一位数据，表示成 1 或 0. 就是上面介绍的，对于数据的表示，单个存储单元中内部所存储电荷的电压，和某个特定的阈值电压 Vth ，相比，如果大于此 Vth 值，就是表示 1，反之，小于 Vth，就表示 0. 对于 nand Flash的数据的写入 1，就是控制 External Gate 去充电，使得存储的电荷够多， 超过阈值 Vth ， 就表示 1 了。而对于写入 0，就是将其放电，电荷减少到小于 Vth ，就表示 0 了。 关于为何 Nand Flash 不能从 0 变成 1，我的理解是，物理上来说，是可以实现每一位的，从 0变成 1 的，但是实际上， 对于实际的物理实现， 出于效率的考虑， 如果对于，每一个存储单元都能单独控制，即， 0 变成 1 就是，对每一个存储单元单独去充电，所需要的硬件实现就很复杂和昂贵，同时，所进 行对块擦除的操作，也就无法实现之前的，一闪而过的速度了，也就失去了 Flash 的众多特性了。 也就是放电的思路还是容易些。 1->0 2. MLC ，Multi Level Cell ： 与 SLC 相对应，就是单个存储单元，可以存储多个位，比如 2 位，4 位等。其实现机制，说起来比较 简单，就是，通过控制内部电荷的多少，分成多个阈值，通过控制里面的电荷多少，而达到我们所需 要的存储成不同的数据。比如，假设输入电压是 Vin ＝4V（实际没有这样的电压，此处只是为了举例 方便），那么，可以设计出 2 的 2 次方＝ 4 个阈值，1/4 的 Vin ＝ 1V ，2/4 的 Vin ＝2V，3/4 的 Vin ＝3V ， Vin ＝4V ，分别表示 2 位数据 00，01，10，11，对于写入数据，就是充电，通过控制内部的电荷的多 少，对应表示不同的数据。 对于读取，则是通过对应的内部的电流（与 Vth 成反比），然后通过一系列解码电路完成读取，解析出所存储的数据。这些具体的物理实现，都是有足够精确的设备和技术，才能实现精确的数据写入和读出的。 单个存储单元可以存储 2 位数据的 ，称作 2 的 2 次方＝ 4 Level Cell ，而不是 2 Level Cell ； 同理，对于新出的 单个存储单元可以存储 4 位数据的 ，称作 2 的 4 次方＝ 16 Level Cell。 【关于如何识别 SLC 还是 MLC 】 Nand Flash 设计中，有个命令叫做 Read ID，读取 ID ，意思是读取