2021太阳能单晶硅片的制备技术简介.pptVIP

CZ 直拉法长晶技术 生长炉结构 : 长晶过程 : 籽晶熔炼 引晶 放肩 等径生长 收尾 长 晶 太阳能级硅棒性能指标 : 太阳能单晶硅片制备技术 简介 马恩高 2006 中科院物理所嘉兴工程中心 目 录 一、 引言 二、原料及其准备 三、单晶硅棒的生长 四、硅棒的切片技术 五、物理所工程中心简况 一、引 言 中科院嘉兴中心物理所分中心 太阳能级硅片 太阳能电池结构 电池制备流程 国内主要厂商 二 . 原料及其准备 : 多晶硅料 坩 埚 浓度单位 Si 浓度 % 电子级 99.9999999 — 9N 99.999999999-11N 99.9999------6N 99.9----------3N 98.5-99 杂质浓度 (TMI) atoms/cm 3 1ppba 1ppta 1ppma 1000ppma 10000ppma 5 × 10 2 ２ atoms/cm 3 5 × 10 13 5 × 10 11 5 × 10 16 5 × 10 19 5 × 10 20 太阳能级 高纯金属硅 金属硅 注：单晶硅中原子数约为 ppma: 原子数百万分比例 , ppba; 原子数十亿分比例 , 硅中的杂质浓度 杂质 (ppm) 金属硅 B P O C 15-50 10-50 3000 100-250 高纯金属硅 30 15 20