《半导体器件物理》全套教学课件.ppt

由于 MOS电容上存贮的电荷不易泄放，且电容值很小，故很少的电荷即可导致很高的电压 ，使栅氧化层被击穿 。由于这种击穿是破坏性的，所以 MOSFET 在存放与测试时，一定要注意使栅极良好地接地。 5.6MOSFET 的小信号参数 1、跨导 gm 跨导 代表转移特性曲线的斜率，它反映了栅电压 VGS 对漏电流 ID 的控制能力，即反映了 MOSFET 的增益的大小。 跨导 代表转移特性曲线的斜率，它反映了栅电压 VGS 对漏电流 ID 的控制能力，即反映了 MOSFET 的增益的大小。 饱和区 非饱和区 为了提高 gm ，从器件制造角度，应提 高β（ ）， 即增大 Z/L ，提高迁移率，减小 TOX。从电路使用角度，应提高 VGS。 2、漏源电导 gds gds 是输出特性曲线的斜率 非饱和区 当 VDS 很小时 饱和区 以 VGS 为参变量的 gds ~ VDS 特性曲线 实际上，IDsat 随着 VDS 的增加而略微增大，使 ( gds )sat 略大于 0 。降低 ( gds )sat 的措施与降低有效沟道长度调制效应的措施是一致的。 3、电压放大系数 ? 在非饱和区，对 ID 求全微分并令其为零，即： 饱和区 实际上，因有效沟道长度调制效应等原因，?? s 为有限值。模拟电