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- 2021-03-04 发布于四川
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第一章 集成电路制造技术 集成电路原理 2005年9月6日 一. 集成电路制造工艺概况 集成电路制造工艺基本原理 集成电路制造工艺流程 典型的PN结隔离工艺 隔离和埋层的原理与作用 SiO2介质隔离工艺 集成电路制造工艺基本原理 硅平面工艺 Noyce的专利(1959) 集成电路制造工艺流程图 典型的PN结隔离工艺示意图 PN结隔离工艺所需光刻步骤 PN结隔离工艺前道工序表 PN结隔离的原理与作用 埋层的作用 SiO2介质隔离示意图 SiO2介质隔离工艺示意图(1) SiO2介质隔离工艺示意图(2) 16M DRAM工艺步骤数 前道工艺 步骤数 步进光刻机 24 涂胶显影机 34 去胶机 34 干法腐蚀机 24 平坦化CVD 18 金属CVD 2 低压CVD 10 扩散,氧化炉 16 离子注入 18 溅射
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