电力半导体器件试题ok.docxVIP

类别:电子半导体器件 出题车间：CP1BS 出题人邮箱：donglin.wangfaw-vw 填空题: Is _个整流器主要由（整流变压器\ （整流电略\ （滤波电略）三个部分组成。 2、 可控硅的三个电极分别是（阳极 \ （门极 （阴极］ 3、 由2个PN结构成的三极管具有（控制）和（放大）的作用。，是放大电路中的核 心部件。 4、 现在使用的光电有（反射式\ （散射式\ （对射式）形式。 5、 共射极接法的三极管的输出特性曲线分为四个,分别为（饱和区X （放大区X （截 止区\（击穿区\ 6、 当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压Vt产生影响f具体地，对于短沟道 器件对Vt的影响为下降”对于窄沟道器件对Vt的影响为上升。 7、 在晶闸管可控整流电路中，减少（51）角，可使输出电压平均值（隆低）。 8、 PN结电击穿的产生机构两种（雪崩击穿、隧道击穿）或（齐纳击穿）。 9、 双极型晶体管中重掺杂发射区目的为提高（发射效率），以获取高的（电流增益）。 10、 随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数?将（下降），当将为为处1时 所对应的频率弘，称作（特征频率\ 11、 当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有（沟道 长度调制）效应，（漏沟静电反馈）效应和（空间电荷限制）效应。 12、 Vceo是基极开路时（发射极）与（集电极）之间的击穿电