2021电子技术基础.docx

叮叮小文库 叮叮小文库 PAGE PAGE # 《电子技术基础》课程学习指导书 第14章 半导体二极管和三极管 一、选择题： 半导体的导电能力( c )。 与导体相同 (b) 与绝缘体相同 (c) 介乎导体和绝缘体之间 P 型半导体中空穴数量远比电子多得多， 因此该半导体应( c )。 (a) 带正电 (b) 带负电 (c) 不带电 N 型半导体的多数载流子是电子，因此它 应( c )。 (a) 带负电 (b) 带正电 (c) 不带电 将 PN 结加适当的反向电压， 则空间电荷区 将( b )。 (a) 变窄 (b) 变宽 (c) 不变 普通半导体二极管是由( a )。 (a)一个 PN结组成 (b)两个 PN 结组成 (c)三个 PN 结组成 电路如图所示， 直流电压 UI=10 V，稳压管 的稳定电压 UZ=6 V，则限流电阻 R上的压降 UR 为( c )。 (a)10V(d)-4VR-+ + -+ UR (a)10V (d)-4V R - + + - + UR DZ uI Z + UO 14.7 电路如图所示， 此时工作在 ( b )。 (a)放大状态 和状态 10V RC 1k (b)6V (c)4V 已知 uI=3V，则晶体管 T (b)截止状态 (c)饱 T =50 T =50 uI R1 R2 40k -5V 二、填空题： 半 导 体 二 极 管 的 主 要 特 点 是 具有单向导电性 。 理想二极管的正向电阻为 0 。 理想二极管的反向电阻为 无穷大 。 二极管导通的条件是加在二极管两端的电 压是 正向电压大于 PN 结的死区电 。 N 型半导体中的多数载流子是自 P 型半导体中的多数载流子是 空穴 。 三、计算题 电路如图所示，二极管 D 为理想元件， US=5 V ，求电压 uO。 D + +USRL + US Uo=Us=5V +DuOuO。时，电路如图所示，二极管为理想元件， ui=3sin t V ，U=3V ，当 + D uO uO。 时， + U- + U- + Uo=0v 电路如图所示，输入信号 ui =6sin t V 求二极管 D 承受的最高反向电压。 5k + uiu ui 3V U 最高反向电压 =3v 电路如图所示，二极管为同一型号的理想 元件，电阻 R=4 k ，电位 uA =1V ，uB=3V ，计 算电位 uF 的值。 uA D D uB B +12V R uF UF=UA=1v 用直流电压表测得工作在放大区的某晶 体管三个极 1， 2，3 的电位分别为： V1=2V ， V2=6V，V3=2.7V，试判别管子的三个管脚，并 说明是硅管还是锗管？是 PNP型还是 NPN 型？ 答：1 为发射极 E 2 为集电极 C 3 为基极 B 硅管 NPN 型 第 15 章 基本放大电路 本章练习题： 一、选择题： 共射放大电路的输入输出公共端是 ( )。 集电极 (b) 发射极 (c) 基极 固定偏置放大电路中， 晶体管的 β＝50， 若 将该管调换为 β =80 的另外一个晶体管， 则 该电路中晶体管集电极电流 IC 将( )。 增加 (b) 减少 (c) 基本不变 分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电 容 CE 因损坏而断开，则该电路的电压放大倍数 将 ( )。 增大 (b) 减小 (c) 不变 就放大作用而言，射极输出器是一种 ( ) 。 有电流放大作用而无电压放大作用的电路 有电压放大作用而无电流放大作用的电路 电压和电流放大作用均没有的电路 射极输出器的输入输出公共端是 ( )。 (a) 集电极 (b) 发射极 (c) 基极 两级共射阻容耦合放大电路，若将第二级 换成射极输出器，则第一级的电压放大倍数将 ( ) 。 (a) 提高 (b) 降低 (c) 不变 微变等效电路法适用于 ( )。 (a) 放大电路的动态分析 放大电路的静态分析 放大电路的静态和动态分析 直接耦合放大电路产生零点漂移的最主要 原因是 ( )。 (a) 温度的变化 电源电压的波动 电路元件参数的变化 在直接耦合放大电路中，采用差动式电路 结构的主要目的是 ( )。 (a) 提高电压放大倍数 抑制零点漂移 提高带负载能力 差动放大电路中所谓共模信号是指两个 输入信号电压 ( )。 (a) 大小相等，极性相反 大小相等，极性相同 大小不等，极性相同 二、填空题： 对放大电路进行静态分析的主要任务 固定偏置放大电路中，晶体管的 β＝50， 若将该管调换为 β=80 的另外一个晶体管，则该 电路中晶体管集电极电流 IC 将 （。增加？ 减少？不变？） 电 路 如 下 图 所 示 ， 晶 体 管 工 作 在 状态。 某两级阻容耦合共射放大电路 ,不接第二 级时第一级的电压放大倍数为 100 倍 ,接