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5.2 霍尔传感器 5.2.1 霍尔传感器工作原理 5.2.2 霍尔元件的结构和基本电路 5.2.3 霍尔元件的主要特性参数 5.2.4 霍尔元件误差及补偿 5.2.5 霍尔式传感器的应用 下一页 返 回 .精品课件. * 5.2.1 霍尔传感器工作原理 半导体薄片置于磁场中,当它的电流方向与磁场方向不一致时,半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势,这种现象称霍尔效应。 产生的电动势称霍尔电势 半导体薄片称霍尔元件 上一页 下一页 返 回 .精品课件. * 霍尔效应原理 上一页 下一页 返 回 .精品课件. * 载流子受洛仑兹力 霍尔电场强度 平衡状态 电子运动平均速度 上一页 下一页 返 回 因为 .精品课件. * 霍尔电势 .精品课件. * 霍尔常数 霍尔常数大小取决于导体的载流子密度: 金属的自由电子密度太大,因而霍尔常数小,霍尔电势也小, 所以金属材料不宜制作霍尔元件。 霍尔电势与导体厚度d成反比: 为了提高霍尔电势值, 霍尔元件制成薄片形状。 霍尔元件灵敏度(灵敏系数) 半导体中电子迁移率(电子定向运动平均速度)比空穴迁移率高, 因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件, 上一页 下一页 返 回 .精品课件. * 5.2.2 霍尔元件的结构和基本电路 霍尔元件 上一页 下一页 返 回 .精品课件. * 图(a)中,从矩形薄片半导体基片上的两个相互垂直方向侧面上,引出一对电极,其中1-1电极用于加控制电流,称控制电极。另一对2-2电极用于引出霍尔电势,称霍尔电势输出极。在基片外面用金属或陶瓷、环氧树脂等封装作为外壳。 图(b)是霍尔元件通用的图形符号。 图(c)所示,霍尔电极在基片上的位置及它的宽度对霍尔电势数值影响很大。通常霍尔电极位于基片长度的中间,其宽度远小于基片的长度。 图(d)是基本测量电路 。 .精品课件. * 5.2.3 霍尔元件的主要特性参数 当磁场和环境温度一定时: 霍尔电势与控制电流I成正比 当控制电流和环境温度一定时: 霍尔电势与磁场的磁感应强度B成正比 当环境温度一定时: 输出的霍尔电势与I和B的乘积成正比 测量以上电阻时,应在没有外磁场和室温变化的条件下进行。 上一页 下一页 返 回 .精品课件. * 霍尔元件的主要特性参数: (1) 输入电阻和输出电阻 输入电阻:控制电极间的电阻 输出电阻:霍尔电极之间的电阻 (2) 额定控制电流和最大允许控制电流 额定控制电流:当霍尔元件有控制电流使其本身在 空气中产生10℃温升时,对应的控制电流值 最大允许控制电流:以元件允许的最大温升限制所对 应的控制电流值 上一页 下一页 返 回 .精品课件. * (3) 不等位电势Uo和不等位电阻ro 不等位电势:当霍尔元件的控制电流为额定值时,若元件所处位置的磁感应强度为零,测得的空载霍尔电势。 不等位电势是由霍尔电极2和之间的电阻决定的, r 0称不等位电阻 上一页 下一页 返 回 .精品课件. * 霍尔元件的主要特性参数 (4) 寄生直流电势 霍尔元件零位误差的一部分 当没有外加磁场,霍尔元件用交流控制电流时,霍尔电极的输出有一个直流电势 控制电极和霍尔电极与基片的连接是非完全欧姆接触时,会产生整流效应。 两个霍尔电极焊点的不一致,引起两电极温度不同产生温差电势 (5) 霍尔电势温度系数 在一定磁感应强度和控制电流下,温度每变化1度时,霍尔电势变化的百分率。 上一页 下一页 返 回 .精品课件. * 5.3.4 霍尔元件误差及补偿 1. 不等位电势误差的补偿 2. 温度误差及其补偿 上一页 下一页 返 回 .精品课件. * 1. 不等位电势误差的补偿 可以把霍尔元件视为一个四臂电阻电桥,不等位电势就相当于电桥的初始不平衡输出电压。 上一页 下一页 返 回 .精品课件. * 电势的补偿电路 对称电路 当温度变化时,补偿的稳定性要好些 上一页 下一页 返 回 .精品课件. * 2. 温度误差及其补偿 温度误差产生原因: 霍尔元件的基片是半导体材料,因而对温度的变化很敏感。其载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。 当温度变化时,霍尔元件的一些特性参数,如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化,从而使霍尔式传感器产生温度误差。 上一页 下一页 返 回 .精品课件. * 减小霍尔元件的温度误差 选用温度系数小的元件 采用恒温措施 采用恒流源供电 上一页 下
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