第四章光辐射探测.ppt

第四章 光辐射探测技术;4.1.2 光电发射效应;;第四章光辐射探测;光辐射照射外加电压的半导体，如果光波长λ满足如下条件： ;机理：光照射将引起半导体中的电子和空穴增加，电子和 空穴的增加导致了电导率的增加。;其中，q为电子电荷大小； 、 为电子和空穴的迁移率； 分别为电子和空穴产生的速率。 电导率的变化，引起通过其的电流大小的变化。;; Cds和CdSe这两种器件是用于可见光和红外区域最广泛的光电导器件。CdS光敏电阻可在人视觉接近的范围内灵敏地工作，其线性度和温度特性都很好，但缺点是响应速度不快，约几十毫秒。 CdS常用于照相机或专门的测光表中。 而CdSe的响应与白炽灯或氖灯的光源的输出具有良好的匹配，线性度和温度特性都不太好，但其响应速度快，几个毫秒。所以CdSe光敏电阻常用作光电开关使用。; 此外，还有应用于低温环境下的，如：本征型半导体：HgCdTe ；掺杂型的： Ge：Au、Ge：Zn 、Si：Ga等。;【3应用】;精密的暗激发光控开关 ; 光电二极管和光电导器件都是利用内光电效应的光接收器件，所不同的是：光电二极管是利用PN结在光辐射作用下产生的光伏效应制成的。而光电导器件是利用光生载流子引起的电流变化作为了电信号附加在外部偏压上而被检测出来。 主要有光电池、光电二极管、光电三极管等。对于二极管而言，由于它利用的是PN结的内部电场，所以往往使用反向电压。;【1结构与符号】;光照零偏pn结产生开路电压的效应; 一定温度下半导体中电子和空穴的热运动是不能引起载流子净位移，从而也就没有电流。但漂移和扩散可使载流子产生净位移，从而形成电流。 ;（2）漂移; 上图为光注入，非平衡载流子扩散示意图。光在受照表面很薄一层内即被吸收掉。受光部分将产生非平衡载流子，其浓度随离开表面距离x的增大而减小，因此非平衡载流子就要沿x方向从表面向体内扩散，使自己在晶格中重新达到均匀分布。 ;光注入，非平衡载流子扩散示意图; 在电场中多子、少子均作漂移运动，因多子数目远比少子多，所以漂移流主要是多子的贡献 。;电中性的P型???导体 电中性N型半导体; 当光照射光电二极管pn结部位时，只要入射光的能量 大于半导体禁带宽度时，就产生本征激发，激发便产生电子-空穴对，P区产生的光生空穴， N区产生的光生电子由于受到pn结的阻挡作用，不能通过结区。而在内电场的作用下， P区中的电子驱向N区，空穴驱向P区。这样在P区就积累了多余的空穴， N区积累了多余的电子。从而产生了附加的与内电场相反的电场。该附加电场对于外电路来说，将产生由P到N方向的电动势。当外接电路时，将有光电流通过，这就是光伏效应。;图4-3 障层光电效应原理;【光伏探测器等效电路】;图4-5 光电二极管的电压-电流特性;4.2.1光电二极管 ;【1.Si光电二极管】 ;p+n结构硅光电二极管(2CU);n+p结构硅光电二极管（2DU）： 光敏区外侧有保护环（ n+ 环区），其目的是表面层漏电流，使暗电流明显减少。其有三根引出线，n侧的电极称为前极， p侧的电极称为后极，环极接电源偏置正极，也可断开，空着。;第四章光辐射探测;（2）光谱响应特性;（3）伏安特性 （V/R—V为直流负载线）;（4）频率响应特性 ;【4.2.2. PIN硅光电二极管】 ;; I层载流子浓度非常低是一个高阻层。 ①在pn结上加上反向偏压后，它将成为具有较强内部电场的区域，减小了载流子的渡越时间；②通过加入这个高阻层I层，扩大了携带电信号的光生载流子的产生空间，从而提高了灵敏度；; PIN光电二极管在光通信、光雷达和快速光 电自动控制领域有着广泛的应用。;;【4.2.3 雪崩二极管】;; 光子照射 电子-空穴对，当pn结反向电压足够高时，它们在结内高电场作用下，获得足够高的动能，在定向运动过程中与晶体原子碰撞产生新的电子-空穴对，新产生的电子和空穴又在电场中获得足够能量，通过碰撞再产生电子和空穴……如此下去，像雪崩一样迅速反应而激发出大量的载流子，使初始的光电流大大增加。 ;4.2.4 温差电效应;4.2.5 热释电效应;如作电源开关控制、防盗防火报警、自动览测等 ; 升高到Tc值时，自发极化突然消失，TC称为居里温度;4.2.6 光电转换定律;——探测器的量子效率