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第五章 微型计算机存储器接口技术;5.1 存储器概述;
1.半导体存储器的分类
a. 双极型存储器;
b. MOS型存储器
2.按存取方式分类
(1)随机存取存储器RAM
a. 静态RAM
b. 动态RAM
;(2)只读存储器ROM;闪存:Flash Memory;3.按在微机系统中位置分类 ;1.存储容量
存储容量是指存储器所能存储二进制数码的数量,
存储容量=存储字数(存储单元数) ×存储字长(每单元的比特数)
例如,某存储芯片的容量为1024×4,即该芯片有1024个存储单元,每个单元4位代码。
2.存取速度
存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间,也称为访问时间。
存取速度也可用存取周期或数据传输速率来描述.;3.功耗和体积
功耗通常是指每个存储元消耗功率的大小,单位为微瓦/位(μW/位)或者毫瓦/位(mW/位)
体积和功耗越小越好.
4.可靠性
可靠性一般是指对电磁场及温度变化等的抗干扰能力,一般平均无故障时间为数千小时以上。
;三、内存的基本组成;① 地址译码器:
接收来自CPU的n位地址,经译码后产生2n个地址选择信号,实现对片内存储单元的选址。
② 控制逻辑电路:
接收片选信号CS及来自CPU的读/写控制信号,形成芯片内部控制信号,控制数据的读出和写入。
③ 数据缓冲器:
寄存来自CPU的写入数据或从存储体内读出的数据。
;一、静态RAM;
常用的SRAM芯片有:
Intel公司生产的2114、2128、6116、6264、62256等。
如HY6116,HM62256,HM628128,等等
容量:1K×4, 1K×8, 2K×8, K×8,…512K×8
现以2114芯片为例对SRAM的芯片特性和接口方法进行介绍。;A5;2. 内部结构;? A0~A7:地址信号的输入引脚,用来分时接收CPU送来的8位行、列地址;
? RAS:行地址选通信号输入引脚,低电平有效,兼作芯片选择信号。当为低电平时,表明芯片当前接收的是行地址;
? CAS:列地址选通信号输入引脚,低电平有效,表明当前正在接收的是列地址(此时应保持为低电平);
?WE : 写允许控制信号输入引脚,当其为低电平时,执行写操作;否则,执行读操作。
? DIN:数据输入引脚;
?DOUT:数据输出引脚; ? VDD:十5V电源引脚;
? Css:地;
? N/C:未用引脚 ;2. Intel 2164的内部结构;2.接口方法
DRAM控制器一般由如下部分组成:
① 地址多路开关:
由于要向DRAM芯片分时送出行地址和列地址,所以必须具有多路开关,把来自CPU的地址变成行地址和列地址分两次送出。
② 刷新定时器:
用来定时提供刷新请求。
③ 刷新地址计数器:
提供刷新的地址,每刷新一行,计数器自动加1,全部行刷新一遍后自动归零,重复刷新过程。;④ 仲裁电路:
当来自CPU的访问存储器请求和来自刷新定时器的刷新请求同时产生时,对二者的优先权进行裁定。
⑤ 时序发生器:
提供行地址选通信号RAS、列地址选通信号CAS和写允许信号WE,以满足对存储器进行访问及对芯片进行刷新的要求。;CPU;三、存储器扩展技术;例1 用1K×4的2114芯片构成lKB的存储器系统 ;设计要点:
将每个芯片的10位地址线按引脚名称一一并联,按次序逐根接至系统地址总线的低10位。
数据线则按芯片编号连接,1号芯片的4位数据线依次接至系统数据总线的D0-D3,2号芯片的4位数据线依次接至系统数据总线的D4-D7。
两个芯片的WE端并在一起后接至系统控制总线的存储器写信号(如CPU为8086/8088,也可由和/M或IO/的组合来承担)。
CS引脚也分别并联后接至地址译码器的输出,而地址译码器的输入则由系统地址总线的高位来承担。 ;; 目前广泛使用的典型EPROM芯片有Intel公司生产的2716、2732、2764、27128、27256、27512等;
其容量分别为2K×8位至64K×8,512K×8 位;
封装形式:前两种为24脚双列
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