第三章 晶体缺陷.pdf

第三章 晶体缺陷 缺陷形成的原因: 在实际晶体中，由于原子（或离子、分子）的热运动，以及 晶体的形成条件、冷热加工过程和其他辐射、杂质等因素的 影响，实际晶体中原子的排列不可能那样规则、完整，常存 在各种偏离理想结构的情况，即晶体缺陷。晶体缺陷对晶体 的性能，特别是对那些结构敏感的性能，如屈服强度、断裂 强度、塑性、电阻率、磁导率等有很大的影响。 晶体缺陷 点缺陷 线缺陷 面缺陷 空位,间隙原子等 位错 晶界,相界,表面等 一点缺陷 1.点缺陷的种类 a b c d e VCl- b VNa+ a Cl- Na+ c NaCl点阵中(100) 面上离子位置及空 高分子晶体中特有的点缺陷 位分布示意图 2.点缺陷的形成原因: (1) 热缺陷 (2) 杂质缺陷 (3) 非化学计量缺陷 (4) 其它原因 (1) 热缺陷 （a ）弗仑克尔缺陷的形 （b）单质中的肖特 成（空位与间隙质点成对 基缺陷的形成 出现） 热缺陷产生示意图 Y. Frenkel, 1894-1952 W.H.Schottky, 1886-1976 Russian physicist German physicist (2) 杂质缺陷 定义: 亦称为组成缺陷，是由外加杂质的引 入所产生的缺陷。 特征: 如果杂质的含量在固溶体的溶解度范 围内，则杂质缺陷的浓度与温度无关。 杂质缺陷对材料性能的影响 (3) 非化学计量缺陷 定义: 指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。 它是由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产 生。 特点: 其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而 变化。是一种半导体材料。 (4) 其它原因，如电荷缺陷，辐照缺陷等 3.点缺陷的平衡浓度 （1）造成点阵畸变，内能升高，热力学不稳定。 （2 ）熵值增大，增加热力学稳定性。 点缺陷平衡浓度的推导 F=U – TS ΔF=nEv–T （ΔSc + n ΔSf ） Sc=klnW （N+n）！ W= N ！n ！ ΔSc=K [ln （N+n）！— ln 1 ] = K ln （N+n）！